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几种含铁层状化合物的结构与性质研究

摘要第4-6页
Abstract第6-7页
第1章 绪论第10-40页
    1.1 层状化合物的结构与物性第10-12页
    1.2 铁基超导体第12-29页
        1.2.1 超导发展史简介第12-15页
        1.2.2 铁砷基超导体第15-23页
        1.2.3 铁硒基超导体第23-29页
    1.3 磁阻挫材料第29-37页
        1.3.1 磁阻挫材料的基本概念第29-32页
        1.3.2 自旋冰材料第32-33页
        1.3.3 自旋液体材料第33-36页
        1.3.4 磁阻挫材料与超导的联系第36-37页
    1.4 本论文的选题依据及主要内容第37-40页
第2章 实验方法和原理第40-47页
    2.1 样品制备方法第40-41页
        2.1.1 固相反应法第40页
        2.1.2 自助熔剂法第40-41页
        2.1.3 溶剂热法第41页
    2.2 样品表征方法第41-47页
        2.2.1 X射线粉末衍射第41-42页
        2.2.2 中子粉末衍射第42-43页
        2.2.3 Rietveld方法精修晶体结构第43-44页
        2.2.4 综合物性测量系统第44-46页
        2.2.5 第一性原理计算第46-47页
第3章 CuFeAs的Cu位掺Li研究第47-60页
    3.1 引言第47-48页
    3.2 样品制备第48页
    3.3 Cu_(1-x)Li_xFeAs的晶体结构第48-50页
    3.4 Cu_(1-x)Li_xFeAs的物性第50-57页
    3.5 Cu_(1-x)Li_xFeAs的相图第57-59页
    3.6 本章小结第59-60页
第4章 新型化合物CsFe_(4-δ)Se_4的物性与掺杂研究第60-86页
    4.1 引言第60-61页
    4.2 样品制备第61-62页
    4.3 CsFe_(4-δ)Se_4的结构第62-66页
    4.4 CsFe_(4-δ)Se_4的物性第66-76页
    4.5 CsFe_(4-δ)Se_4的补铁探索第76-79页
    4.6 CsFe_(4-δ)Se_4的Fe位掺杂第79-82页
    4.7 CsFe_(4-δ)Se_4的Se位掺杂第82-85页
    4.8 本章小结第85-86页
第5章 几种磁阻挫材料的物性与插层研究第86-112页
    5.1 引言第86-88页
    5.2 样品制备第88-89页
    5.3 FeAl_2Se_4的晶体结构第89-91页
    5.4 FeAl_2Se_4的物性第91-98页
    5.5 Co_(0.7)Al_2Se_(3.7), NiAl_2Se_(3.7)的晶体结构第98-101页
    5.6 Co_(0.66)Al_2Se_(3.53), Ni_(0.61)Al_2Se_(3.55)的物性第101-106页
    5.7 FeAl_2Se_4, FeGa_2S_4以及NiGa_2S_4的有机插层探索第106-110页
    5.8 本章小结第110-112页
第6章 总结与展望第112-115页
参考文献第115-138页
个人简历及发表文章目录第138-140页
致谢第140-141页

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