摘要 | 第4-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
第1章 绪论 | 第10-40页 |
1.1 层状化合物的结构与物性 | 第10-12页 |
1.2 铁基超导体 | 第12-29页 |
1.2.1 超导发展史简介 | 第12-15页 |
1.2.2 铁砷基超导体 | 第15-23页 |
1.2.3 铁硒基超导体 | 第23-29页 |
1.3 磁阻挫材料 | 第29-37页 |
1.3.1 磁阻挫材料的基本概念 | 第29-32页 |
1.3.2 自旋冰材料 | 第32-33页 |
1.3.3 自旋液体材料 | 第33-36页 |
1.3.4 磁阻挫材料与超导的联系 | 第36-37页 |
1.4 本论文的选题依据及主要内容 | 第37-40页 |
第2章 实验方法和原理 | 第40-47页 |
2.1 样品制备方法 | 第40-41页 |
2.1.1 固相反应法 | 第40页 |
2.1.2 自助熔剂法 | 第40-41页 |
2.1.3 溶剂热法 | 第41页 |
2.2 样品表征方法 | 第41-47页 |
2.2.1 X射线粉末衍射 | 第41-42页 |
2.2.2 中子粉末衍射 | 第42-43页 |
2.2.3 Rietveld方法精修晶体结构 | 第43-44页 |
2.2.4 综合物性测量系统 | 第44-46页 |
2.2.5 第一性原理计算 | 第46-47页 |
第3章 CuFeAs的Cu位掺Li研究 | 第47-60页 |
3.1 引言 | 第47-48页 |
3.2 样品制备 | 第48页 |
3.3 Cu_(1-x)Li_xFeAs的晶体结构 | 第48-50页 |
3.4 Cu_(1-x)Li_xFeAs的物性 | 第50-57页 |
3.5 Cu_(1-x)Li_xFeAs的相图 | 第57-59页 |
3.6 本章小结 | 第59-60页 |
第4章 新型化合物CsFe_(4-δ)Se_4的物性与掺杂研究 | 第60-86页 |
4.1 引言 | 第60-61页 |
4.2 样品制备 | 第61-62页 |
4.3 CsFe_(4-δ)Se_4的结构 | 第62-66页 |
4.4 CsFe_(4-δ)Se_4的物性 | 第66-76页 |
4.5 CsFe_(4-δ)Se_4的补铁探索 | 第76-79页 |
4.6 CsFe_(4-δ)Se_4的Fe位掺杂 | 第79-82页 |
4.7 CsFe_(4-δ)Se_4的Se位掺杂 | 第82-85页 |
4.8 本章小结 | 第85-86页 |
第5章 几种磁阻挫材料的物性与插层研究 | 第86-112页 |
5.1 引言 | 第86-88页 |
5.2 样品制备 | 第88-89页 |
5.3 FeAl_2Se_4的晶体结构 | 第89-91页 |
5.4 FeAl_2Se_4的物性 | 第91-98页 |
5.5 Co_(0.7)Al_2Se_(3.7), NiAl_2Se_(3.7)的晶体结构 | 第98-101页 |
5.6 Co_(0.66)Al_2Se_(3.53), Ni_(0.61)Al_2Se_(3.55)的物性 | 第101-106页 |
5.7 FeAl_2Se_4, FeGa_2S_4以及NiGa_2S_4的有机插层探索 | 第106-110页 |
5.8 本章小结 | 第110-112页 |
第6章 总结与展望 | 第112-115页 |
参考文献 | 第115-138页 |
个人简历及发表文章目录 | 第138-140页 |
致谢 | 第140-141页 |