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利用高阶高斯光束实现表面等离激元非对称激发的研究

摘要第5-7页
ABSTRACT第7-8页
第1章 绪论第11-25页
    1.1 引言第11页
    1.2 表面等离子体概述第11-16页
        1.2.1 表面等离子体的色散关系第12-14页
        1.2.2 表面等离子体的激发方式第14-16页
    1.3 表面等离子体非对称激发概述第16-20页
        1.3.1 不对称微纳结构非对称激发SPP第16-19页
        1.3.2 入射光偏振不对称非对称激发SPP第19-20页
    1.4 本文的主要研究内容及章节安排第20-22页
    参考文献第22-25页
第2章 高阶模厄米高斯光束的分析与产生第25-39页
    2.1 高阶厄米高斯光束的数学描述第25-27页
    2.2 高阶厄米高斯光束的数值模拟第27-31页
        2.2.1 FDTD原理介绍第27-30页
        2.2.2 FDTD模拟一阶模厄米高斯光束第30-31页
    2.3 高阶厄米高斯光束的产生方法第31-34页
        2.3.1 径向偏振光的生成第31-33页
        2.3.2 一阶模厄米高斯光束的生成第33-34页
    2.4 本章小结第34-36页
    参考文献第36-39页
第3章 高阶高斯光束与金属狭缝阵列结构理论研究第39-55页
    3.1 单金属狭缝结构的SPP非对称激发第39-43页
        3.1.1 单狭缝模型的理论分析第39-41页
        3.1.2 FDTD模拟单狭缝模型的远场分布第41-43页
    3.2 金属双狭缝结构的SPP激发第43-47页
        3.2.1 金属双狭缝结构的理论分析第43-45页
        3.2.2 FDTD模拟双狭缝模型的远场分布第45-46页
        3.2.3 FDTD模拟双狭缝模型的近场分布第46-47页
    3.3 金属狭缝阵列结构非对称激发SPP第47-52页
        3.3.1 基于偶极子理论的金属狭缝阵列结构第47-49页
        3.3.2 FDTD模拟金属狭缝阵列结构的远场分布第49-50页
        3.3.3 FDTD模拟金属狭缝阵列结构的近场分布第50页
        3.3.4 金属狭缝阵列模型的参数分析第50-52页
    3.4 本章小结第52-54页
    参考文献第54-55页
第4章 基于泄露辐射的SPP非对称激发实验表征第55-71页
    4.1 基于泄露辐射的后焦面成像系统第55-59页
        4.1.1 泄露辐射的原理第55-56页
        4.1.2 后焦面成像原理第56-58页
        4.1.3 基于Olympus X71型倒置显微镜的LRM系统第58-59页
    4.2 SPP非对称激发效应的后焦面表征第59-64页
        4.2.1 金属狭缝阵列结构的制备第59-61页
        4.2.2 后焦面表征的实验结果及分析第61-63页
        4.2.3 动态调控SPP非对称激发分束比的实验结果第63-64页
    4.3 SPP非对称激发效应的前焦面表征第64-67页
        4.3.1 光栅表征表面等离子体概述第64-66页
        4.3.2 刻有光栅的金属狭缝阵列结构的制备第66页
        4.3.3 前焦面表征的实验结果及分析第66-67页
    4.4 本章小结第67-68页
    参考文献第68-71页
第5章 工作总结与展望第71-73页
    5.1 工作总结第71-72页
    5.2 展望第72-73页
致谢第73-74页
在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果第74页
本论文的研究工作得到以下基金的资助第74页

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