| 摘要 | 第8-9页 |
| ABSTRACT | 第9-10页 |
| 第一章 绪论 | 第11-16页 |
| 1.1 GaN基半导体材料研究发展进程 | 第11-13页 |
| 1.2 InGaN/GaN多量子阱的研究进展 | 第13-14页 |
| 1.3 本论文的工作和主要内容 | 第14-16页 |
| 第二章 半导体发光原理和测量 | 第16-29页 |
| 2.1 半导体发光基础理论 | 第16-25页 |
| 2.1.1 电致发光 | 第16-17页 |
| 2.1.2 阴极射线发光 | 第17-19页 |
| 2.1.3 光致发光 | 第19-23页 |
| 2.1.4 半导体中载流子的复合机制 | 第23-25页 |
| 2.2 光致发光实验装置和原理 | 第25-26页 |
| 2.3 时间分辨光致发光的原理和应用 | 第26-29页 |
| 第三章 Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料的性质和制备 | 第29-39页 |
| 3.1 Ⅲ-Ⅴ族氮化物的基本性质 | 第29-34页 |
| 3.2 InGaN/GaN多量子阱LED的生长制备 | 第34-39页 |
| 3.2.1 金属有机物化学气相沉积 | 第35-37页 |
| 3.2.2 外延生长模式 | 第37-39页 |
| 第四章 相分离InGaN/GaN多量子阱LED的光学特性研究 | 第39-55页 |
| 4.1 实验研究的背景和介绍 | 第39页 |
| 4.2 InGaN/GaN多量子阱样品的制备和结构 | 第39-41页 |
| 4.3 相分离InGaN/GaN多量子阱光致发光的温度依赖性 | 第41-45页 |
| 4.4 相分离InGaN/GaN多量子阱光致发光的激发功率依赖性 | 第45-50页 |
| 4.5 相分离InGaN/GaN多量子阱时间分辨光致发光的研究 | 第50-55页 |
| 第五章 总结 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第63-64页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第64页 |
