| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 第1章 绪论 | 第11-20页 |
| 1.1 课题研究的背景 | 第11页 |
| 1.2 太阳能电池的发展历史 | 第11-14页 |
| 1.3 InGaN太阳能电池 | 第14-19页 |
| 1.4 本论文主要的研究工作 | 第19-20页 |
| 第2章 p-i-n结构InGaN太阳能电池研究基础 | 第20-30页 |
| 2.1 半导体太阳能电池的工作原理及理论模型 | 第20-22页 |
| 2.2 太阳能电池的光电特性和主要性能参数 | 第22-26页 |
| 2.3 InGaN太阳能电池制备工艺及性能测试系统 | 第26-28页 |
| 2.4 太阳能电池制备工艺主要设备 | 第28-30页 |
| 第3章 In组分梯度渐变的n-i-p结构InGaN太阳能电池性能研究 | 第30-42页 |
| 3.1 引言 | 第30页 |
| 3.2 In组分梯度渐变n-i-p结构InGaN太阳能电池的仿真 | 第30-36页 |
| 3.3 垂直结构InGaN太阳能电池的结构设计 | 第36-40页 |
| 3.4 本章小结 | 第40-42页 |
| 第4章 不同极性下In组分渐变结构的InGaN太阳能电池性能研究 | 第42-49页 |
| 4.1 引言 | 第42-43页 |
| 4.2 Ga极性下渐变结构对InGaN电池性能的影响 | 第43-45页 |
| 4.3 N极性下渐变结构对InGaN电池性能的影响 | 第45-48页 |
| 4.4 本章小结 | 第48-49页 |
| 第5章 低位错密度AlGaN外延层的制备方法 | 第49-59页 |
| 5.1 引言 | 第49-51页 |
| 5.2 低位错密度AlN外延层的制备 | 第51页 |
| 5.3 低位错密度Al_(0.5)Ga_(0.5)N外延层的制备 | 第51-52页 |
| 5.4 低位错密度AlGaN外延层的形成机制 | 第52-57页 |
| 5.5 本章小结 | 第57-59页 |
| 全文总结 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-68页 |
| 攻读学位期间发表的学术成果 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69页 |
