| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第17-22页 |
| 1.1 透明导电薄膜概述 | 第17-18页 |
| 1.2 In_2O_3薄膜的结构和相关性能 | 第18页 |
| 1.3 In_2O_3薄膜的研究进展 | 第18-19页 |
| 1.4 金属掺杂的In_2O_3薄膜的研究进展 | 第19-20页 |
| 1.5 论文的研究意义及主要内容 | 第20-22页 |
| 第二章 In_2O_3薄膜的制备、退火和表征方法 | 第22-29页 |
| 2.1 In_2O_3薄膜制备方法 | 第22-24页 |
| 2.2 In_2O_3薄膜高温退火技术 | 第24页 |
| 2.3 In_2O_33薄膜表征方法 | 第24-29页 |
| 第三章 In_2O_3薄膜的制备及其特性研究 | 第29-48页 |
| 3.1 Si衬底上In_2O_3薄膜的制备及结构特性 | 第30-35页 |
| 3.1.1 不同氩氧比率下Si衬底上沉积In_2O_3薄膜 | 第30-31页 |
| 3.1.2 不同溅射功率下Si衬底上沉积In_2O_3薄膜 | 第31-32页 |
| 3.1.3 不同溅射压强下Si衬底上沉积In_2O_3薄膜 | 第32-33页 |
| 3.1.4 不同溅射时间下Si衬底上沉积In_2O_3薄膜 | 第33-35页 |
| 3.2 载玻片衬底上In_2O_3薄膜的制备及结构特性 | 第35-39页 |
| 3.2.1 不同氩氧比率下载玻片衬底上沉积In_2O_3薄膜 | 第35-36页 |
| 3.2.2 不同溅射压强下载玻片衬底上沉积In_2O_3薄膜 | 第36-37页 |
| 3.2.3 不同溅射功率下载玻片衬底上沉积In_2O_3薄膜 | 第37-38页 |
| 3.2.4 不同溅射时间下载玻片衬底上沉积In_2O_3薄膜 | 第38-39页 |
| 3.3 退火温度对Si衬底上制备的In_2O_3薄膜结构影响 | 第39-40页 |
| 3.4 In_2O_3薄膜的表面形貌 | 第40-43页 |
| 3.4.1 最佳制备条件下Si衬底上制备的In_2O_3薄膜表面形貌 | 第40-41页 |
| 3.4.2 最佳制备条件下载玻片衬底上制备的In_2O_3薄膜表面形貌 | 第41-42页 |
| 3.4.3 退火处理的In_2O_3薄膜表面形貌 | 第42-43页 |
| 3.5 In_2O_3薄膜的电学特性 | 第43-44页 |
| 3.6 In_2O_3薄膜的光学特性 | 第44-48页 |
| 3.6.1 In_2O_3薄膜的反射光谱 | 第44-46页 |
| 3.6.2 In_2O_3薄膜的透射光谱 | 第46-48页 |
| 第四章 金属掺杂In_2O_3薄膜的制备及其特性研究 | 第48-61页 |
| 4.1 Zn-In_2O_3薄膜的制备和特性研究 | 第48-54页 |
| 4.1.1 Zn-In_2O_3薄膜的结构特性 | 第49-51页 |
| 4.1.2 Zn-In_2O_3薄膜的电学特性 | 第51-52页 |
| 4.1.3 Zn-In_2O_3薄膜的光学特性 | 第52-54页 |
| 4.2 Al-In_2O_3薄膜的制备和特性研究 | 第54-61页 |
| 4.2.1 Al-In_2O_3薄膜的结构特性 | 第55-57页 |
| 4.2.2 Al-In_2O_3薄膜的电学特性 | 第57-58页 |
| 4.2.3 Al-In_2O_3薄膜的光学特性 | 第58-61页 |
| 第五章 结论 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 附录：攻读硕士期间发表的文章 | 第71-72页 |
