一种用于LED驱动的横向恒流器件设计
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 课题背景与研究意义 | 第9-10页 |
| 1.2 国内外发展动态和研究现状 | 第10-15页 |
| 1.2.1 LED照明的发展 | 第10-11页 |
| 1.2.2 LED驱动的发展 | 第11-13页 |
| 1.2.3 本文的主要工作 | 第13-15页 |
| 第二章 CRD基本结构与原理 | 第15-33页 |
| 2.1 CRD的基本结构 | 第15-21页 |
| 2.1.1 结型场效应晶体管 | 第15-18页 |
| 2.1.2 耗尽型的LDMOS | 第18-19页 |
| 2.1.3 CRD的具体实现方式 | 第19-21页 |
| 2.2 器件耐压机理 | 第21-29页 |
| 2.2.1 PN结的耐压 | 第21-23页 |
| 2.2.2 场板技术 | 第23-26页 |
| 2.2.3 RESURF原理 | 第26-27页 |
| 2.2.4 横向器件的结终端技术 | 第27-29页 |
| 2.3 CRD器件的失效 | 第29-31页 |
| 2.3.1 电徙动 | 第29-30页 |
| 2.3.2 芯片发热引起的失效 | 第30-31页 |
| 2.4 本章小结 | 第31-33页 |
| 第三章 CRD器件仿真设计 | 第33-54页 |
| 3.1 低沟道掺杂器件设计 | 第34-42页 |
| 3.1.1 Nwell对器件特性的影响 | 第36-39页 |
| 3.1.2 沟道长度对器件特性的影响 | 第39页 |
| 3.1.3 栅极场板对电流特性的影响 | 第39-41页 |
| 3.1.4 漂移区长度以及漏极场板对器件的影响 | 第41-42页 |
| 3.2 高沟道掺杂器件设计 | 第42-48页 |
| 3.2.1 Ptop对器件的影响 | 第45-46页 |
| 3.2.2 沟道长度对器件的影响 | 第46-47页 |
| 3.2.3 栅场板对器件影响 | 第47-48页 |
| 3.3 带有负反馈结构的器件设计 | 第48-51页 |
| 3.4 器件的可靠性设计 | 第51-53页 |
| 3.5 本章小结 | 第53-54页 |
| 第四章 版图设计及实验结果 | 第54-69页 |
| 4.1 工艺流程 | 第54-58页 |
| 4.2 版图设计 | 第58-66页 |
| 4.3 流片结果 | 第66-68页 |
| 4.4 本章小结 | 第68-69页 |
| 第五章 结论 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-74页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第74-76页 |
