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多晶硅铸锭内嵌杂质引发热致应力的数值分析

摘要第3-4页
Abstract第4页
第一章 绪论第6-18页
    1.1 太阳能产业中的硅第6-11页
    1.2 硅的物理、化学及半导体性质第11-12页
    1.3 多晶硅中杂质及夹杂物危害第12-16页
    1.4 本文的主要研究内容及方法第16-18页
第二章 CGsim晶体生长软件分析第18-27页
    2.1 定向凝固法第18-23页
    2.2 CGsim建模及模拟第23-26页
    2.3 本章小结第26-27页
第三章 多晶硅锭内嵌杂质热致应力有限元分析第27-40页
    3.1 引言第27页
    3.2 有限元方法及ANSYS简介第27-31页
    3.3 有限元ANSYS数值分析第31-37页
    3.4 失稳临界裂纹尺寸计算第37-38页
    3.5 杂质的引入及建议第38-39页
    3.6 本章小结第39-40页
第四章 结论与展望第40-41页
    4.1 结论第40页
    4.2 展望第40-41页
参考文献第41-44页
致谢第44-45页
个人简历第45页

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