| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-31页 |
| 1.1 光电探测技术 | 第9-16页 |
| 1.2 钙钛矿光电器件的发展 | 第16-19页 |
| 1.3 偏振原理及偏振探测 | 第19-29页 |
| 1.4 本文主要研究内容 | 第29-31页 |
| 2 材料制备与表征方法 | 第31-40页 |
| 2.1 引言 | 第31页 |
| 2.2 CH_3NH_3PbI_3纳米线的制备 | 第31-33页 |
| 2.3 测试与表征方法 | 第33-39页 |
| 2.4 本章小结 | 第39-40页 |
| 3 偏振相关及红外光电探测系统设计 | 第40-53页 |
| 3.1 引言 | 第40页 |
| 3.2 偏振相关光电探测系统的设计 | 第40-44页 |
| 3.3 红外光电探测系统的设计 | 第44-52页 |
| 3.4 本章小结 | 第52-53页 |
| 4 基于有限时域差分法（FDTD）的纳米线光学模拟 | 第53-63页 |
| 4.1 引言 | 第53页 |
| 4.2 FDTD方法简介 | 第53-58页 |
| 4.3 单根CH3NH3Pb I3纳米线的仿真条件 | 第58-59页 |
| 4.4 仿真结果分析 | 第59-61页 |
| 4.5 本章小结 | 第61-63页 |
| 5 单晶CH3NH3Pb I3纳米线器件的性能研究 | 第63-80页 |
| 5.1 引言 | 第63页 |
| 5.2 单晶CH_3NH_3PbI_3纳米线的材料结构表征 | 第63-68页 |
| 5.3 纳米线器件的光电性能表征 | 第68-77页 |
| 5.4 纳米线器件的偏振性能 | 第77-79页 |
| 5.5 本章小结 | 第79-80页 |
| 6 总结与展望 | 第80-82页 |
| 致谢 | 第82-84页 |
| 参考文献 | 第84-91页 |
| 附录1 攻读硕士学位期间发表论文目录 | 第91页 |
| 附录2 攻读硕士学位期间所获奖励 | 第91页 |
