RC-IGBT的理论模型与新结构研究
| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第12-23页 |
| 1.1 RC-IGBT的结构与两种导通状态 | 第12-19页 |
| 1.1.1 RC-IGBT的结构 | 第13-17页 |
| 1.1.2 正向导通状态 | 第17页 |
| 1.1.3 反向导通状态 | 第17-19页 |
| 1.2 RC-IGBT的负阻效应 | 第19-21页 |
| 1.3 本文的主要工作与创新 | 第21-23页 |
| 第二章 双阳极型RC-IGBT | 第23-36页 |
| 2.1 RC-IGBT的Snapback效应模型 | 第23-28页 |
| 2.2 双阳极RC-IGBT的结构与工作原理 | 第28-29页 |
| 2.3 正向导通状态 | 第29-31页 |
| 2.4 反向导通状态 | 第31-32页 |
| 2.5 折中关系对比 | 第32-35页 |
| 2.6 本章小结 | 第35-36页 |
| 第三章 分离型RC-IGBT | 第36-64页 |
| 3.1 物理模型与结构 | 第36-40页 |
| 3.2 正向导通状态 | 第40-45页 |
| 3.3 反向导通状态 | 第45-47页 |
| 3.4 折中关系对比 | 第47-52页 |
| 3.5 击穿耐压设计 | 第52-63页 |
| 3.5.1 漏电流物理模型 | 第55-58页 |
| 3.5.2 静态击穿性能 | 第58-61页 |
| 3.5.3 动态击穿性能 | 第61-63页 |
| 3.6 本章小结 | 第63-64页 |
| 第四章 结隔离型RC-IGBT | 第64-91页 |
| 4.1 具有P浮空电流栓结隔离型RC-IGBT | 第64-79页 |
| 4.1.1 电流分布模型 | 第65-68页 |
| 4.1.2 电学性能分析 | 第68-79页 |
| 4.2 具有NPN晶体管结隔离型RC-IGBT | 第79-89页 |
| 4.2.1 结构及工作原理 | 第79-81页 |
| 4.2.2 电学性能分析 | 第81-89页 |
| 4.3 本章小结 | 第89-91页 |
| 第五章 全文总结与展望 | 第91-94页 |
| 5.1 全文总结 | 第91-92页 |
| 5.2 后续工作展望 | 第92-94页 |
| 致谢 | 第94-95页 |
| 参考文献 | 第95-104页 |
| 攻读博士学位期间取得的成果 | 第104-106页 |
