| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 目录 | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 前言 | 第9-10页 |
| 1.2 微波SiGe HBT及其集成电路的研究现状 | 第10-15页 |
| 1.2.1 SiGe HBT的研究现状 | 第10-12页 |
| 1.2.2 SiGe单片集成电路的研究现状 | 第12-14页 |
| 1.2.3 近年来SiGe低噪声放大器集成电路的结构及性能 | 第14-15页 |
| 1.3 基于绝缘型衬底的SiGe器件 | 第15页 |
| 1.4 本论文的主要工作 | 第15-16页 |
| 1.5 本论文内容安排 | 第16-17页 |
| 第二章 微波SiGe异质结晶体管 | 第17-35页 |
| 2.1 SiGe HBT的基本原理与性能分析 | 第17-22页 |
| 2.1.1 能带工程 | 第17-19页 |
| 2.1.2 集电极电流、基极电流和增益的改善 | 第19页 |
| 2.1.3 截止频率 | 第19-20页 |
| 2.1.4 SiGe HBT设计的折衷考虑 | 第20页 |
| 2.1.5 渐变Ge组分对SiGe HBT性能的改善 | 第20-22页 |
| 2.2 SiGe HBT的常用制造工艺及结构 | 第22-25页 |
| 2.2.1 SiGe应力层的制造 | 第22-24页 |
| 2.2.2 SiGe异质结晶体管常用结构 | 第24-25页 |
| 2.3 微波SiGe HBT的结构优化 | 第25-27页 |
| 2.3.1 微波SiGe的纵向结构优化考虑 | 第25-26页 |
| 2.3.2 微波SiGe HBT的横向结构优化考虑 | 第26-27页 |
| 2.4 本论文中SiGe HBT的具体结构 | 第27-29页 |
| 2.4.1 SiGe HBT 的高阻抗衬底 | 第27页 |
| 2.4.2 SiGe HBT 的纵向结构参数设计 | 第27-28页 |
| 2.4.3 SiGe HBT 的横向结构参数设计 | 第28-29页 |
| 2.5 SiGe HBT的Gummel-Poon SPICE参数的提取方法 | 第29-34页 |
| 2.5.1 对实际制备的SiGe HBT 器件进行参数提取的方法 | 第29-33页 |
| 2.5.2 用BEB Simulator 软件对SiGe HBT 进行参数提取 | 第33-34页 |
| 2.6 本章小节 | 第34-35页 |
| 第三章 电路中无源元件的设计 | 第35-42页 |
| 3.1 引言 | 第35页 |
| 3.2 片上集成电感 | 第35-38页 |
| 3.2.1 计算电感的方程表达式 | 第35-36页 |
| 3.2.2 螺旋电感中的损耗 | 第36页 |
| 3.2.3 单片螺旋电感的模型 | 第36-38页 |
| 3.3 螺旋电感的计算 | 第38页 |
| 3.4 螺旋电感的优化 | 第38-39页 |
| 3.5 电阻 | 第39-41页 |
| 3.5.1 薄膜电阻的分析 | 第40页 |
| 3.5.2 薄膜电阻的制备工艺 | 第40-41页 |
| 3.6 本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 SiGe低噪声放大器的设计 | 第42-66页 |
| 4.1 SiGe低噪声放大器的结构 | 第42-45页 |
| 4.1.1 常用的两种低噪声放大器的结构 | 第42-43页 |
| 4.1.2 共发射极-共基极放大器的增益和输入阻抗 | 第43-44页 |
| 4.1.3 SiGe低噪声放大器结构 | 第44-45页 |
| 4.2 SiGe低噪声放大器的噪声 | 第45-54页 |
| 4.2.1 SiGe HBT的简化噪声模型 | 第45-46页 |
| 4.2.2 二端口网络的噪声系数优化方法 | 第46-49页 |
| 4.2.3 SiGe HBT的输入参考噪声模型 | 第49-54页 |
| 4.3 SiGe低噪声放大器的线性度 | 第54-60页 |
| 4.3.1 SiGe HBT的指数非线性对电路线性度的影响 | 第57-58页 |
| 4.3.2 SiGe HBT的输出电阻对电路非线性的影响 | 第58-59页 |
| 4.3.3 SiGe HBT的高频非线性对电路非线性的影响 | 第59-60页 |
| 4.4 SiGe低噪声放大器的输入阻抗的匹配方法 | 第60-61页 |
| 4.5 静电保护电路对射频性能的影响 | 第61-62页 |
| 4.5.1 静电保护的必要性 | 第61页 |
| 4.5.2 静电保护电路的设计 | 第61-62页 |
| 4.6 低噪声放大器的仿真结果 | 第62-65页 |
| 4.7 本章小节 | 第65-66页 |
| 第五章 工艺流程和版图设计 | 第66-72页 |
| 5.1 SiGe放大器的工艺设计 | 第66-68页 |
| 5.1.1 衬底制备 | 第66页 |
| 5.1.2 电路制备工艺 | 第66-68页 |
| 5.2 制备工艺中的主要工艺 | 第68-70页 |
| 5.3 SiGe放大器的版图设计 | 第70-71页 |
| 5.4 本章小结 | 第71-72页 |
| 结论 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-77页 |
| 附录I | 第77-79页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第79-80页 |
| 致谢 | 第80页 |
