| 摘要 | 第7-9页 |
| ABSTRACT | 第9-11页 |
| 第一章 绪论 | 第12-24页 |
| 1.1 低维材料的崛起 | 第12-13页 |
| 1.2 过渡金属二硫族化合物 | 第13-15页 |
| 1.3 过渡金属二硫族化合物中的磁性 | 第15-21页 |
| 1.3.1 应力对过渡金属二硫族化合物磁性的调控 | 第16-17页 |
| 1.3.2 插层对过渡金属二硫族化合物磁性的调控 | 第17-19页 |
| 1.3.3 过渡金属二硫族合物纳米带的磁性 | 第19-20页 |
| 1.3.4 掺杂对过渡金属二硫族化合物磁性的调控 | 第20-21页 |
| 1.4 3d过渡族金属在调控TMDs磁性中的作用 | 第21-24页 |
| 第二章 计算方法 | 第24-34页 |
| 2.1 密度泛函理论 | 第24-29页 |
| 2.1.1 密度泛函理论的基本概念 | 第24页 |
| 2.1.2 Kohn-Sham方程 | 第24-25页 |
| 2.1.3 交换关联近似 | 第25-26页 |
| 2.1.4 PAW计算方法 | 第26-28页 |
| 2.1.5 在位库伦能修正 | 第28-29页 |
| 2.2 巡游铁磁性理论 | 第29-31页 |
| 2.2.1 局域电子模型 | 第29页 |
| 2.2.2 巡游电子理论及Stoner模型 | 第29-31页 |
| 2.3 能带折叠效应以及能带反折叠技术 | 第31-34页 |
| 第三章 3d过渡金属插层对2H-NbS_2磁性的调控研究 | 第34-42页 |
| 3.1 计算细节 | 第34-35页 |
| 3.2 结果与讨论 | 第35-39页 |
| 3.2.1 结构弛豫 | 第35-36页 |
| 3.2.2 非磁的计算结果 | 第36-38页 |
| 3.2.3 磁性的计算结果 | 第38-39页 |
| 3.3 本章小结 | 第39-42页 |
| 第四章 Cr掺杂对1T-TiTe_2磁性的调控 | 第42-48页 |
| 4.1 计算细节 | 第42-43页 |
| 4.2 结果及讨论 | 第43-46页 |
| 4.3 本章小结 | 第46-48页 |
| 第五章 3d过渡金属吸附对硼烯磁性的调控 | 第48-56页 |
| 5.1 计算细节 | 第48-49页 |
| 5.2 结果及讨论 | 第49-54页 |
| 5.3 本章小结 | 第54-56页 |
| 第六章 总结与展望 | 第56-58页 |
| 6.1 全文总结 | 第56-57页 |
| 6.2 工作展望 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58-60页 |
| 硕士期间工作 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-65页 |