可调脉冲高功率磁控溅射电源研制及AlCrN薄膜制备
| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-17页 |
| 1.1 课题背景及意义 | 第8页 |
| 1.2 磁控溅射 | 第8-14页 |
| 1.2.1 传统磁控溅射 | 第9-10页 |
| 1.2.2 可调脉冲高功率磁控溅射 | 第10-14页 |
| 1.3 AlCrN 薄膜研究现状 | 第14-15页 |
| 1.4 本文研究内容 | 第15-17页 |
| 第2章 试验设备与方法 | 第17-22页 |
| 2.1 试验材料 | 第17页 |
| 2.2 试验设备及试验流程 | 第17-20页 |
| 2.2.1 试验设备 | 第17-18页 |
| 2.2.2 试验流程 | 第18-20页 |
| 2.3 薄膜分析方法 | 第20-22页 |
| 2.3.1 扫描电镜（SEM）分析 | 第20页 |
| 2.3.2 原子力显微镜（AFM）观察 | 第20页 |
| 2.3.3 X 射线衍射分析 | 第20页 |
| 2.3.4 薄膜纳米硬度测试 | 第20-21页 |
| 2.3.5 摩擦磨损测试 | 第21-22页 |
| 第3章 可调脉冲高功率脉冲磁控溅射电源研制 | 第22-38页 |
| 3.1 电源整体方案设计 | 第22-23页 |
| 3.2 单片机控制设计 | 第23-28页 |
| 3.2.1 AD 输入与 DA 输出 | 第26-27页 |
| 3.2.2 脉冲分频电路 | 第27-28页 |
| 3.3 主电路设计 | 第28-32页 |
| 3.3.1 直流电源部分设计 | 第29-30页 |
| 3.3.2 DC/DC 逆变桥设计 | 第30页 |
| 3.3.3 波形规整电路设计 | 第30-31页 |
| 3.3.4 保护电路设计 | 第31-32页 |
| 3.4 电源水负载及等离子负载测试 | 第32-36页 |
| 3.4.1 典型的电压-电流波形 | 第32-34页 |
| 3.4.2 充电电压对起辉的影响 | 第34-35页 |
| 3.4.3 工作气压对起辉的影响 | 第35-36页 |
| 3.5 本章小结 | 第36-38页 |
| 第4章 AlCr 靶 MPP 电源放电特性 | 第38-48页 |
| 4.1 电源参数对放电特性的影响 | 第38-44页 |
| 4.1.1 充电电压对放电特性的影响 | 第38-41页 |
| 4.1.2 脉冲占空比对放电特性的影响 | 第41-42页 |
| 4.1.3 脉冲频率对放电特性的影响 | 第42-43页 |
| 4.1.4 脉宽调制对放电特性的影响 | 第43-44页 |
| 4.2 工艺参数对放电特性的影响 | 第44-47页 |
| 4.2.1 工作气压对放电特性的影响 | 第44-45页 |
| 4.2.2 N2/Ar 比例对放电特性的影响 | 第45页 |
| 4.2.3 基体偏压对放电特性的影响 | 第45-47页 |
| 4.3 本章小结 | 第47-48页 |
| 第5章 AlCrN 薄膜沉积工艺研究 | 第48-60页 |
| 5.1 AlCrN 薄膜的沉积速率 | 第48-51页 |
| 5.2 AlCrN 薄膜的微观结构 | 第51-55页 |
| 5.2.1 AlCrN 薄膜表面组成和形貌 | 第51-54页 |
| 5.2.2 AlCrN 薄膜相结构 | 第54-55页 |
| 5.3 AlCrN 物理性能 | 第55-59页 |
| 5.3.1 AlCrN 薄膜的结合强度和纳米硬度 | 第55-56页 |
| 5.3.2 AlCrN 薄膜的纳米硬度和弹性模量 | 第56-58页 |
| 5.3.3 薄膜的耐磨性 | 第58-59页 |
| 5.4 本章小结 | 第59-60页 |
| 结论 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-67页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及其它成果 | 第67-69页 |
| 致谢 | 第69页 |
