| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第9-24页 |
| 1.1 课题背景和研究意义 | 第9-11页 |
| 1.2 吸波材料的研究现状 | 第11-17页 |
| 1.2.1 吸波机理 | 第11-13页 |
| 1.2.2 吸波材料概况 | 第13-17页 |
| 1.3 SiC多孔材料的研究现状及展望 | 第17-23页 |
| 1.3.1 SiC多孔材料的特性及表征 | 第17-18页 |
| 1.3.2 SiC多孔材料的制备方法 | 第18-22页 |
| 1.3.3 SiC多孔材料的发展趋势 | 第22-23页 |
| 1.4 本文构想及主要研究内容 | 第23-24页 |
| 第2章 实验材料及测试方法 | 第24-31页 |
| 2.1 实验药品与设备 | 第24-25页 |
| 2.2 实验方法及工艺流程 | 第25-28页 |
| 2.2.1 碳多孔骨架的制备及工艺流程 | 第25-26页 |
| 2.2.2 SiC多孔材料的制备及工艺流程 | 第26-28页 |
| 2.3 材料性能表征方法 | 第28-31页 |
| 2.3.1 X射线衍射（XRD）分析 | 第28页 |
| 2.3.2 扫描电镜（SEM）分析 | 第28页 |
| 2.3.3 红外光谱（IR）分析 | 第28-29页 |
| 2.3.4 拉曼（Raman）分析 | 第29页 |
| 2.3.5 压汞分析 | 第29页 |
| 2.3.6 热稳定性检测TG | 第29页 |
| 2.3.7 压缩性能测试 | 第29-30页 |
| 2.3.8 吸波性能测试 | 第30-31页 |
| 第3章 SiC多孔材料的制备及表征 | 第31-63页 |
| 3.1 碳多孔骨架的制备及成分和结构研究 | 第31-45页 |
| 3.1.1 炭化温度对碳多孔骨架成分的影响 | 第31-39页 |
| 3.1.2 酵母量对碳多孔骨架孔结构的影响 | 第39-43页 |
| 3.1.3 含硅量对碳多孔骨架孔结构的影响 | 第43-44页 |
| 3.1.4 炭化温度对碳多孔骨架孔结构的影响 | 第44-45页 |
| 3.2 SiC多孔材料的制备工艺及成分研究 | 第45-54页 |
| 3.2.1 SiC多孔材料的制备工艺研究 | 第46-51页 |
| 3.2.2 SiC多孔材料的成分研究 | 第51-54页 |
| 3.3 SiC多孔材料的形貌和结构研究 | 第54-60页 |
| 3.3.1 酵母量对SiC多孔材料孔结构的影响 | 第54-57页 |
| 3.3.2 有无内部硅源对SiC多孔材料孔结构的影响 | 第57-60页 |
| 3.4 SiC生长机制研究 | 第60-62页 |
| 3.5 本章小结 | 第62-63页 |
| 第4章 SiC多孔材料的抗压性能和吸波性能研究 | 第63-75页 |
| 4.1 碳多孔骨架的抗压性能研究 | 第63-65页 |
| 4.1.1 酵母量对碳多孔骨架抗压性能的影响 | 第63-64页 |
| 4.1.2 炭化温度对碳多孔骨架抗压性能的影响 | 第64-65页 |
| 4.2 SiC多孔材料的抗压性能研究 | 第65-69页 |
| 4.2.1 SiC多孔材料与碳多孔骨架的抗压性能差异研究 | 第65-66页 |
| 4.2.2 酵母量对SiC多孔材料抗压性能的影响 | 第66-67页 |
| 4.2.3 SiC所占质量百分比对SiC多孔材料抗压性能的影响 | 第67-68页 |
| 4.2.4 含碳的SiC多孔材料除碳前后抗压性能比较分析 | 第68-69页 |
| 4.3 SiC多孔材料的吸波性能研究 | 第69-73页 |
| 4.3.1 SiC多孔材料的热稳定性研究 | 第69-70页 |
| 4.3.2 SiC多孔材料的高温吸波性能研究 | 第70-73页 |
| 4.4 本章小结 | 第73-75页 |
| 结论 | 第75-76页 |
| 参考文献 | 第76-81页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及其他成果 | 第81-83页 |
| 致谢 | 第83页 |
