| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第11-14页 |
| 缩略语对照表 | 第14-18页 |
| 第一章 绪论 | 第18-28页 |
| 1.1 SiC IGBT的研究意义 | 第18-19页 |
| 1.2 SiC IGBT的研究现状及存在问题 | 第19-24页 |
| 1.3 SiC少子寿命的研究进展 | 第24-25页 |
| 1.4 本文的主要工作 | 第25-28页 |
| 第二章 少子寿命与SiC IGBT | 第28-44页 |
| 2.1 少子寿命的影响因素及表征技术 | 第28-32页 |
| 2.1.1 少子寿命的影响因素及改善方法 | 第28-31页 |
| 2.1.2 SiC少子寿命的表征技术 | 第31-32页 |
| 2.2 SiC IGBT的工作机理及参数模型 | 第32-42页 |
| 2.2.1 4H-SiC n-IGBT结构的工作机理 | 第32-35页 |
| 2.2.2 关键结构参数对 4H-SiC n-IGBT性能的影响 | 第35-39页 |
| 2.2.3 4H-SiC n-IGBT器件模型 | 第39-42页 |
| 2.3 本章小结 | 第42-44页 |
| 第三章 SiC IGBT基本特性的模拟研究 | 第44-54页 |
| 3.1 SiC IGBT器件结构及参数 | 第44-46页 |
| 3.2 SiC IGBT基本特性的模拟 | 第46-52页 |
| 3.2.1 SiC IGBT通态特性的模拟 | 第46-48页 |
| 3.2.2 SiC IGBT正向阻断特性的模拟 | 第48-50页 |
| 3.2.3 SiC IGBT关断特性的模拟 | 第50-52页 |
| 3.3 本章小结 | 第52-54页 |
| 第四章 少子寿命对SiC IGBT特性的影响研究 | 第54-68页 |
| 4.1 SiC IGBT对材料少子寿命的要求 | 第54页 |
| 4.2 缓冲层厚度对SiC IGBT特性的影响模拟 | 第54-58页 |
| 4.2.1 缓冲层厚度对IGBT关断特性的影响研究 | 第54-56页 |
| 4.2.2 缓冲层厚度对通态特性的影响研究 | 第56-58页 |
| 4.3 少子寿命对SiC IGBT特性的影响模拟 | 第58-64页 |
| 4.3.1 漂移区寿命对SiC IGBT特性的影响研究 | 第58-61页 |
| 4.3.2 缓冲层寿命对SiC IGBT特性的影响研究 | 第61-64页 |
| 4.4 SiC IGBT导通和开关性能的权衡 | 第64-66页 |
| 4.5 本章小结 | 第66-68页 |
| 第五章 结束语 | 第68-70页 |
| 参考文献 | 第70-74页 |
| 致谢 | 第74-76页 |
| 作者简介 | 第76-77页 |
