20A/600V硅基JBS整流管的研制和一种40mA/120V垂直沟道CRD的研究
| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第一章 绪论 | 第7-11页 |
| 1.1 引言 | 第7页 |
| 1.2 JBS肖特基整流管的发展 | 第7-8页 |
| 1.3 恒流二极管的发展 | 第8-10页 |
| 1.4 本论文的选题意义和主要研究工作 | 第10-11页 |
| 第二章 20A/600V硅基JBS整流管的研制 | 第11-20页 |
| 2.1 JBS材料及结构参数设计 | 第11-15页 |
| 2.1.1 材料参数设计 | 第12-13页 |
| 2.1.2 结构参数设计 | 第13-15页 |
| 2.2 JBS版图设计 | 第15-16页 |
| 2.3 JBS肖特基整流管制备 | 第16-17页 |
| 2.4 测试与讨论 | 第17-19页 |
| 2.5 本章小结 | 第19-20页 |
| 第三章 恒流二极管基本理论 | 第20-31页 |
| 3.1 CRD基本原理 | 第20-27页 |
| 3.1.1 JFET基本原理 | 第20-25页 |
| 3.1.2 CRD基本原理 | 第25-27页 |
| 3.2 CRD温度特性 | 第27页 |
| 3.3 CRD特征参数 | 第27-28页 |
| 3.4 短沟道效应 | 第28-30页 |
| 3.5 本章小结 | 第30-31页 |
| 第四章 40mA/120V恒流二极管的设计 | 第31-43页 |
| 4.1 有源区设计 | 第31-38页 |
| 4.2 终端设计 | 第38-40页 |
| 4.3 版图设计 | 第40-42页 |
| 4.4 本章小结 | 第42-43页 |
| 第五章 恒流二极管模拟与优化 | 第43-53页 |
| 5.1 仿真软件 | 第43页 |
| 5.2 参数优化 | 第43-52页 |
| 5.3 本章小结 | 第52-53页 |
| 第六章 芯片制备及测试分析 | 第53-67页 |
| 6.1 CRD芯片制备 | 第53-55页 |
| 6.2 关键工艺 | 第55-57页 |
| 6.2.1 欧姆接触 | 第55-56页 |
| 6.2.2 P+扩散区形成 | 第56-57页 |
| 6.3 电学特性测试 | 第57-58页 |
| 6.4 电学特性分析 | 第58-63页 |
| 6.4.1 理论分析 | 第58-60页 |
| 6.4.2 数值模拟分析 | 第60-63页 |
| 6.5 改进措施 | 第63-66页 |
| 6.5.1 原版图工艺改进 | 第63-64页 |
| 6.5.2 新结构改进 | 第64-66页 |
| 6.6 本章小结 | 第66-67页 |
| 第七章 总结与展望 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-72页 |
| 在学期间参与课题与研究成果 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73页 |
