反应堆热中子成像装置准直系统模拟设计
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 引言 | 第9-14页 |
| 1.1 中子成像技术发展概况 | 第9-10页 |
| 1.2 中子成像技术的特点 | 第10-11页 |
| 1.3 中子成像技术的应用举例 | 第11-12页 |
| 1.4 本文研究的主要内容 | 第12-14页 |
| 2 基本理论 | 第14-23页 |
| 2.1 中子成像的基本原理 | 第14-16页 |
| 2.2 中子成像装置组成 | 第16-21页 |
| 2.2.1 中子源的分类 | 第17-18页 |
| 2.2.2 准直器 | 第18-19页 |
| 2.2.3 中子成像检测器 | 第19-21页 |
| 2.3 不同能量中子成像的特点 | 第21-23页 |
| 2.3.1 冷中子辐射成像 | 第21页 |
| 2.3.2 热中子辐射成像 | 第21-22页 |
| 2.3.3 超热中子辐射成像 | 第22页 |
| 2.3.4 快中子辐射成像 | 第22-23页 |
| 3 蒙特卡罗方法 | 第23-27页 |
| 3.1 蒙特卡罗方法简介 | 第23-25页 |
| 3.2 蒙特卡罗方法模拟应用软件 | 第25-27页 |
| 4 中子成像装置准直器设置 | 第27-45页 |
| 4.1 慢化体 | 第27-31页 |
| 4.1.1 慢化体设计的一般要求 | 第27-28页 |
| 4.1.2 慢化体设计方案 | 第28页 |
| 4.1.3 模拟实验与数据分析 | 第28-31页 |
| 4.2 中子屏蔽体 | 第31-38页 |
| 4.2.1 屏蔽体设计要求 | 第31-32页 |
| 4.2.2 屏蔽体设计方案 | 第32-33页 |
| 4.2.3 模拟实验与数据分析 | 第33-38页 |
| 4.3 散射中子与杂散中子屏蔽 | 第38-40页 |
| 4.3.1 散射中子与杂散中子的影响 | 第38页 |
| 4.3.2 衬里材料模拟方案 | 第38页 |
| 4.3.3 模拟实验与数据分析 | 第38-40页 |
| 4.4 减少热中子衰减 | 第40-41页 |
| 4.4.1 热中子衰减原因分析 | 第40-41页 |
| 4.4.2 热中子衰减研究 | 第41页 |
| 4.5 γ 射线屏蔽 | 第41-43页 |
| 4.5.1 γ 射线对成像的影响 | 第41-42页 |
| 4.5.2 γ射线屏蔽模拟 | 第42-43页 |
| 4.6 小结 | 第43-45页 |
| 5 结论与展望 | 第45-47页 |
| 致谢 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-50页 |
