长波HgCdTe红外探测器面阵的结区光电功能表征与分析
| 致谢 | 第4-5页 |
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 1 引言 | 第9-17页 |
| 1.1 红外探测技术介绍 | 第9-15页 |
| 1.2 碲镉汞（HgCdTe）的研究背景 | 第15-17页 |
| 1.2.1 碲镉汞材料的基本性质 | 第15页 |
| 1.2.2 碲镉汞红外探测器的研究现状 | 第15-17页 |
| 2 微区光电流面扫描方法和模拟仿真方法 | 第17-34页 |
| 2.1 微区光电流面扫描方法简介 | 第17-26页 |
| 2.1.1 微区光电流面扫描方法的发展历史和用途 | 第17-20页 |
| 2.1.2 微区光电流面扫描方法的基本原理 | 第20-24页 |
| 2.1.3 高精度SPCM平台的搭建 | 第24-26页 |
| 2.2 器件模拟仿真方法 | 第26-33页 |
| 2.2.1 解析模型方法 | 第26-27页 |
| 2.2.2 数值模型方法 | 第27-33页 |
| 2.2.2.1 半导体器件物理模型 | 第28-30页 |
| 2.2.2.2 HgCdTe材料的基本参数 | 第30-33页 |
| 2.3 本章小结 | 第33-34页 |
| 3 干法刻蚀诱导PN结的光电功能表征 | 第34-46页 |
| 3.1 ICP干法刻蚀技术及材料表面损伤机理 | 第35-36页 |
| 3.2 刻蚀器件结构和SPCM表征 | 第36-39页 |
| 3.3 HgCdTe刻蚀样品的SPCM表征分析 | 第39-42页 |
| 3.4 n型反型层厚度的研究 | 第42-44页 |
| 3.5 本章小结 | 第44-46页 |
| 4 长波HgCdTe红外探测阵列的结转变机理研究 | 第46-65页 |
| 4.1 器件结构和实验准备 | 第46-47页 |
| 4.2 中波器件测试结果 | 第47-52页 |
| 4.3 长波器件测试结果和分析 | 第52-63页 |
| 4.3.1 低温下长波器件的关键参数分析 | 第52-55页 |
| 4.3.2 长波器件的变温结果分析 | 第55-63页 |
| 4.3.2.1 结变温性能分析 | 第55-57页 |
| 4.3.2.2 变温情况下的结区SPCM信号分析 | 第57-63页 |
| 4.4 本章小结 | 第63-65页 |
| 5 总结和展望 | 第65-67页 |
| 5.1 总结 | 第65-66页 |
| 5.2 展望 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-72页 |
| 作者简介及在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第72页 |
