致谢 | 第4-5页 |
摘要 | 第5-6页 |
ABSTRACT | 第6-7页 |
1. 绪论 | 第11-23页 |
1.1 引言 | 第11-12页 |
1.2 微纳结构制备技术 | 第12-14页 |
1.2.1 接近接触式光刻 | 第12页 |
1.2.2 投影式光刻 | 第12-13页 |
1.2.3 纳米压印光刻 | 第13-14页 |
1.2.4 电子束光刻 | 第14页 |
1.3 周期性微纳结构制备技术 | 第14-16页 |
1.3.1 干涉光刻技术 | 第14-15页 |
1.3.2 泰伯光刻技术 | 第15-16页 |
1.4 泰伯光刻技术的研究进展 | 第16-21页 |
1.5 本论文主要研究工作 | 第21页 |
1.6 论文结构与安排 | 第21-23页 |
2. 紫外自成像光刻术的成像分析 | 第23-37页 |
2.1 标量衍射理论[13] | 第23-24页 |
2.1.1 瑞利-索末菲衍射积分 | 第23-24页 |
2.1.2 角谱理论 | 第24页 |
2.2 紫外自成像光刻术的成像原理 | 第24-29页 |
2.2.1 理论原理 | 第24-26页 |
2.2.2 数值模拟与分析 | 第26-29页 |
2.3 光源不同入射情况对自成像光刻术的影响 | 第29-35页 |
2.3.1 平行光斜入射对自成像光刻术的影响 | 第29-31页 |
2.3.2 球面波入射对自成像光刻术的影响 | 第31-33页 |
2.3.3 非单色光入射对自成像光刻术的影响 | 第33-35页 |
2.4 本章小结 | 第35-37页 |
3. 紫外扫描积分自成像光刻术的成像分析 | 第37-42页 |
3.1 引言 | 第37页 |
3.2 紫外扫描积分自成像光刻术基本原理 | 第37-38页 |
3.3 紫外扫描积分自成像光刻术数值仿真 | 第38-41页 |
3.4 本章小结 | 第41-42页 |
4. 紫外扫描积分自成像光刻术影响因素分析 | 第42-51页 |
4.1 引言 | 第42页 |
4.2 扫描控制相关参数影响 | 第42-47页 |
4.2.1 扫描距离 | 第42-44页 |
4.2.2 扫描起始位置 | 第44-45页 |
4.2.3 扫描速度 | 第45-47页 |
4.3 光源不同入射条件的影响 | 第47-49页 |
4.3.1 平行光斜入射影响 | 第47-48页 |
4.3.2 球面波入射影响 | 第48-49页 |
4.3.3 光源单色性影响 | 第49页 |
4.4 本章小结 | 第49-51页 |
5. 紫外扫描积分自成像光刻术制备振幅型光栅 | 第51-62页 |
5.1 紫外光刻技术 | 第51-53页 |
5.1.1 紫外光刻技术及其工艺流程 | 第51页 |
5.1.2 光刻胶及其特性 | 第51-53页 |
5.1.3 光刻基本要求 | 第53页 |
5.2 实验装置 | 第53-56页 |
5.2.1 曝光系统 | 第54-55页 |
5.2.2 精密工件台 | 第55-56页 |
5.2.3 电控系统 | 第56页 |
5.2.4 气动系统 | 第56页 |
5.3 实验基本流程 | 第56-57页 |
5.4 实验相关工艺参数及结果 | 第57-60页 |
5.4.1 初步实验探索 | 第57-59页 |
5.4.2 改进光刻工艺的实验探究 | 第59-60页 |
5.5 本章小结 | 第60-62页 |
6. 紫外自成像光刻术的缺陷修复效应仿真研究 | 第62-71页 |
6.1 引言 | 第62页 |
6.2 存在缺陷的周期阵列的泰伯效应 | 第62-63页 |
6.3 紫外自成像光刻术对一维振幅性光栅缺陷修复仿真 | 第63-67页 |
6.3.1 光栅尺寸大小对缺陷修复的影响 | 第63-65页 |
6.3.2 不同光刻胶对比度对缺陷修复的影响 | 第65-66页 |
6.3.3 不同位置处的自成像缺陷修复情况 | 第66-67页 |
6.4 紫外自成像光刻术对斜周期阵列缺陷修复仿真 | 第67-69页 |
6.4.1 不同光刻胶对比度的缺陷修复的影响 | 第67-68页 |
6.4.2 不同位置处的自成像缺陷修复情况 | 第68页 |
6.4.3 缺失面积大小及集中度对缺陷修复的影响 | 第68-69页 |
6.5 本章小结 | 第69-71页 |
7. 总结和展望 | 第71-73页 |
7.1 总结 | 第71-72页 |
7.2 展望 | 第72-73页 |
参考文献 | 第73-76页 |
作者简介及在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第76页 |