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紫外自成像光刻及其缺陷修复效应研究

致谢第4-5页
摘要第5-6页
ABSTRACT第6-7页
1. 绪论第11-23页
    1.1 引言第11-12页
    1.2 微纳结构制备技术第12-14页
        1.2.1 接近接触式光刻第12页
        1.2.2 投影式光刻第12-13页
        1.2.3 纳米压印光刻第13-14页
        1.2.4 电子束光刻第14页
    1.3 周期性微纳结构制备技术第14-16页
        1.3.1 干涉光刻技术第14-15页
        1.3.2 泰伯光刻技术第15-16页
    1.4 泰伯光刻技术的研究进展第16-21页
    1.5 本论文主要研究工作第21页
    1.6 论文结构与安排第21-23页
2. 紫外自成像光刻术的成像分析第23-37页
    2.1 标量衍射理论[13]第23-24页
        2.1.1 瑞利-索末菲衍射积分第23-24页
        2.1.2 角谱理论第24页
    2.2 紫外自成像光刻术的成像原理第24-29页
        2.2.1 理论原理第24-26页
        2.2.2 数值模拟与分析第26-29页
    2.3 光源不同入射情况对自成像光刻术的影响第29-35页
        2.3.1 平行光斜入射对自成像光刻术的影响第29-31页
        2.3.2 球面波入射对自成像光刻术的影响第31-33页
        2.3.3 非单色光入射对自成像光刻术的影响第33-35页
    2.4 本章小结第35-37页
3. 紫外扫描积分自成像光刻术的成像分析第37-42页
    3.1 引言第37页
    3.2 紫外扫描积分自成像光刻术基本原理第37-38页
    3.3 紫外扫描积分自成像光刻术数值仿真第38-41页
    3.4 本章小结第41-42页
4. 紫外扫描积分自成像光刻术影响因素分析第42-51页
    4.1 引言第42页
    4.2 扫描控制相关参数影响第42-47页
        4.2.1 扫描距离第42-44页
        4.2.2 扫描起始位置第44-45页
        4.2.3 扫描速度第45-47页
    4.3 光源不同入射条件的影响第47-49页
        4.3.1 平行光斜入射影响第47-48页
        4.3.2 球面波入射影响第48-49页
        4.3.3 光源单色性影响第49页
    4.4 本章小结第49-51页
5. 紫外扫描积分自成像光刻术制备振幅型光栅第51-62页
    5.1 紫外光刻技术第51-53页
        5.1.1 紫外光刻技术及其工艺流程第51页
        5.1.2 光刻胶及其特性第51-53页
        5.1.3 光刻基本要求第53页
    5.2 实验装置第53-56页
        5.2.1 曝光系统第54-55页
        5.2.2 精密工件台第55-56页
        5.2.3 电控系统第56页
        5.2.4 气动系统第56页
    5.3 实验基本流程第56-57页
    5.4 实验相关工艺参数及结果第57-60页
        5.4.1 初步实验探索第57-59页
        5.4.2 改进光刻工艺的实验探究第59-60页
    5.5 本章小结第60-62页
6. 紫外自成像光刻术的缺陷修复效应仿真研究第62-71页
    6.1 引言第62页
    6.2 存在缺陷的周期阵列的泰伯效应第62-63页
    6.3 紫外自成像光刻术对一维振幅性光栅缺陷修复仿真第63-67页
        6.3.1 光栅尺寸大小对缺陷修复的影响第63-65页
        6.3.2 不同光刻胶对比度对缺陷修复的影响第65-66页
        6.3.3 不同位置处的自成像缺陷修复情况第66-67页
    6.4 紫外自成像光刻术对斜周期阵列缺陷修复仿真第67-69页
        6.4.1 不同光刻胶对比度的缺陷修复的影响第67-68页
        6.4.2 不同位置处的自成像缺陷修复情况第68页
        6.4.3 缺失面积大小及集中度对缺陷修复的影响第68-69页
    6.5 本章小结第69-71页
7. 总结和展望第71-73页
    7.1 总结第71-72页
    7.2 展望第72-73页
参考文献第73-76页
作者简介及在学期间发表的学术论文与研究成果第76页

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