| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-10页 |
| 符号与标记 | 第11-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-22页 |
| 1.1 课题来源 | 第14页 |
| 1.2 课题研究的背景 | 第14-20页 |
| 1.2.1 碳基纳米材料 | 第16-18页 |
| 1.2.2 三维集成 | 第18-20页 |
| 1.3 论文的目的及主要研究内容 | 第20-22页 |
| 第二章 碳纳米管及石墨烯的合成 | 第22-44页 |
| 2.1 水平排列的单壁碳纳米管的合成 | 第23-31页 |
| 2.1.1 实验方法 | 第23-25页 |
| 2.1.2 热壁CVD合成HA-SWCNT | 第25-26页 |
| 2.1.3 冷壁CVD合成HA-SWCNT | 第26-29页 |
| 2.1.4 AFM表征 | 第29-31页 |
| 2.2 VA-MWCNT的合成 | 第31-35页 |
| 2.3 石墨烯的合成 | 第35-42页 |
| 2.3.1 实验过程 | 第36-37页 |
| 2.3.2 冷壁CVD合成石墨烯 | 第37-38页 |
| 2.3.3 H_2：CH_4流量比对生长的影响 | 第38-40页 |
| 2.3.4 不同的预处理和退火工艺对石墨烯成核的影响 | 第40-42页 |
| 2.4 本章小结 | 第42-44页 |
| 第三章 碳纳米管和石墨烯的转移 | 第44-62页 |
| 3.1 HA-SWCNTs的转移 | 第44-47页 |
| 3.1.1 拉曼光谱表征 | 第46-47页 |
| 3.2 VA-MWCNTs的转移 | 第47-55页 |
| 3.2.1 胶带辅助的用于TSV互连的CNT转移 | 第47-51页 |
| 3.2.2 两次致密工艺的CNT用于高深宽比的TSV | 第51-55页 |
| 3.3 石墨烯转移 | 第55-61页 |
| 3.3.1 石墨烯转移 | 第55-57页 |
| 3.3.2 双层石墨烯的拉曼光谱和透射电镜分析 | 第57-61页 |
| 3.4 本章小结 | 第61-62页 |
| 第四章 基于碳纳米管的硅通孔互连 | 第62-76页 |
| 4.1 纯碳纳米管填充的硅通孔互连 | 第63-69页 |
| 4.1.1 高分子材料的填充及其固化 | 第63-66页 |
| 4.1.2 电学性能测试 | 第66-69页 |
| 4.2 碳纳米管/铜复合材料填充的硅通孔互连 | 第69-75页 |
| 4.2.1 电镀铜 | 第70-73页 |
| 4.2.2 表征 | 第73-75页 |
| 4.2.3 热机械仿真 | 第75页 |
| 4.3 本章小节 | 第75-76页 |
| 第五章 三维碳基电子集成 | 第76-86页 |
| 5.1 TSV堆叠 | 第76-78页 |
| 5.2 基于Via-last工艺的 3D集成 | 第78-84页 |
| 5.2.1 石墨烯晶体管 | 第79-80页 |
| 5.2.2 基于后通孔工艺的互连 | 第80-82页 |
| 5.2.3 水平互连 | 第82-84页 |
| 5.3 本章小节 | 第84-86页 |
| 第六章 结论与展望 | 第86-88页 |
| 6.1 结论 | 第86-87页 |
| 6.2 展望 | 第87-88页 |
| 参考文献 | 第88-98页 |
| 作者在攻读博士学位期间公开发表的论文 | 第98-100页 |
| 作者在攻读博士学位期间所作的项目 | 第100-102页 |
| 致谢 | 第102-104页 |