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硅基叉指状紫外光电探测器的建模与设计

摘要第4-5页
Abstract第5页
第一章 引言第9-17页
    1.1 论文课题背景与选题依据第9页
    1.2 紫外探测技术的研究背景及问题第9-11页
    1.3 紫外光电探测器的国内外研究进展第11-14页
    1.4 研究器件实现的方法和手段第14-15页
    1.5 论文主要研究内容与章节安排第15页
    1.6 论文的创新点第15-17页
第二章 紫外光电探测器的基本理论知识第17-26页
    2.1 半导体光电探测器基础第17-21页
        2.1.1 PN结第17-21页
    2.2 紫外光电二极管的理论基础第21-23页
        2.2.1 普通光电二极管第21-22页
        2.2.2 PIN光电二极管第22页
        2.2.3 雪崩光电二极管(APD)第22-23页
        2.2.4 紫外光电二极管(UV-PD)第23页
    2.3 紫外光电二极管的性能指标第23-25页
        2.3.1 量子效应及响应度第23-24页
        2.3.2 雪崩倍增因子M(x)第24-25页
        2.3.3 过剩噪声因子第25页
        2.3.4 紫外选择因子第25页
    2.4 本章小结第25-26页
第三章 叉指状紫外光电探测器的研究与设计第26-32页
    3.1 叉指状紫外探测器结构第26-27页
    3.2 叉指状紫外探测器的原理第27-31页
        3.2.1 Ⅰ区的扩散电流第28-29页
        3.2.2 Ⅱ区产生的光电流第29页
        3.2.3 Ⅲ区的扩散电流第29-30页
        3.2.4 光谱效应第30页
        3.2.5 响应度第30-31页
    3.3 本章小结第31-32页
第四章 叉指状紫外光电探测器的数值仿真与器件仿真第32-47页
    4.1 叉指状紫外光电探测器的数值仿真第32-38页
        4.1.1 响应度第33-34页
        4.1.2 器件的紫外选择性第34-35页
        4.1.3 倍增增益第35-37页
        4.1.4 噪声特性第37-38页
    4.2 叉指状紫外光电探测器的器件仿真第38-46页
        4.2.1 Silvaco Atlas器件模拟工具第38-39页
        4.2.2 N阱掺杂的暗电流第39页
        4.2.3 电位分布第39-40页
        4.2.4 电场分布第40-41页
        4.2.5 光谱响应第41-42页
        4.2.6 光敏特性第42页
        4.2.7 瞬态响应第42-44页
        4.2.8 雪崩击穿电压第44-46页
    4.3 本章小结第46-47页
第五章 叉指状紫外光电探测器的流片及测试分析第47-55页
    5.1 叉指状紫外探测器件的流片第47-50页
    5.2 叉指状紫外探测器件的测试第50-54页
    5.3 本章小结第54-55页
第六章 总结与展望第55-56页
    6.1 工作总结第55页
    6.2 不足与展望第55-56页
参考文献第56-60页
致谢第60-61页
附录A 个人简历第61-62页
附录B 硕士期间学术成果列表第62页

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