| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第10-29页 |
| 1.1 AlGaN基紫外探测器概述 | 第12-18页 |
| 1.2 表面等离激元性质与应用 | 第18-27页 |
| 1.3 本论文研究内容 | 第27-29页 |
| 2 AlGaN材料生长与实验研究方法 | 第29-42页 |
| 2.1 AlGaN材料基本特性 | 第29-31页 |
| 2.2 AlGaN材料的外延生长 | 第31-35页 |
| 2.3 材料的表征方法 | 第35-39页 |
| 2.4 紫外探测器性能测试 | 第39-41页 |
| 2.5 本章小结 | 第41-42页 |
| 3 高Al组份n型AlGaN材料的欧姆接触 | 第42-55页 |
| 3.1 有实验基础 | 第42-47页 |
| 3.2 刻蚀后n型AlGaN材料的欧姆接触 | 第47-52页 |
| 3.3 热退火处理对欧姆接触形成作用机理 | 第52-53页 |
| 3.4 本章小结 | 第53-55页 |
| 4 铝纳米结构的局域表面等离激元特性 | 第55-79页 |
| 4.1 Al表面等离激元 | 第55-58页 |
| 4.2 纳米球刻蚀技术制备Al纳米结构 | 第58-67页 |
| 4.3 金属Al纳米颗粒的局域表面等离激元特性模拟计算 | 第67-73页 |
| 4.4 金属Al纳米颗粒的局域表面等离激元特性表征分析 | 第73-78页 |
| 4.5 本章小结 | 第78-79页 |
| 5 局域表面等离激元增强的AlGaN基MSM日盲紫外探测器 | 第79-99页 |
| 5.1 AlGaN基MSM紫外探测器工作原理和表征参量 | 第79-82页 |
| 5.2 AlGaN基MSM日盲紫外探测器设计 | 第82-83页 |
| 5.3 AlGaN基MSM日盲紫外探测器制备 | 第83-87页 |
| 5.4 AlGaN基MSM日盲紫外探测器测试 | 第87-96页 |
| 5.5 局域表面等离激元增强机制探讨 | 第96-97页 |
| 5.6 本章小结 | 第97-99页 |
| 6 表面等离激元与其它AlGaN基探测器件结合研究 | 第99-109页 |
| 6.1 具有纳米网状电极的AlGaN基MSM探测器初步研究 | 第99-104页 |
| 6.2 覆有Al纳米颗粒的AlGaN基PIN日盲探测器 | 第104-107页 |
| 6.3 本章小结 | 第107-109页 |
| 7 总结与展望 | 第109-112页 |
| 致谢 | 第112-114页 |
| 参考文献 | 第114-128页 |
| 附录1 攻读博士学位期间发表论文目录 | 第128-129页 |
