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石墨烯电子输运性质的研究

致谢第5-6页
中文摘要第6-7页
ABSTRACT第7-8页
1 引言第11-18页
    1.1 石墨烯简介第11-14页
        1.1.1 石墨烯的发现和几何结构第11-13页
        1.1.2 石墨烯的电子特性第13-14页
        1.1.3 石墨烯的吸附特性第14页
    1.2 石墨烯在半导体器件中应用第14-16页
        1.2.1 研究现状第14-15页
        1.2.2 未来研究的新领域第15-16页
    1.3 本文研究内容与意义第16-18页
        1.3.1 本文主要研究工作第16-17页
        1.3.2 本文研究方法和意义第17-18页
2 计算方法与理论第18-24页
    2.1 第一性原理第18页
    2.2 密度泛函(DFT density function theory)第18-20页
        2.2.1 Hohenberg-Kohn定理(H-K定理)第19页
        2.2.2 Kohn-Sham方程(K-S方程)第19-20页
    2.3 局域密度近似和广义梯度近似第20-21页
        2.3.1 局域密度近似(local-density approximation,LDA)第20-21页
        2.3.2 广义梯度近似(general gradient approximation,GGA)第21页
    2.4 常用软件包及ATK(Atomistix ToolKit)介绍第21-24页
        2.4.1 基于密度泛函理论的常用软件包第21-22页
        2.4.2 ATK(Atomistix ToolKit)软件包第22-24页
3 电极模型与结构设计第24-36页
    3.1 电极模型与结构第24-31页
        3.1.1 电极模型第24-26页
        3.1.2 金(Au)电极构造第26-28页
        3.1.3 电极结构之Graphene超晶胞第28-31页
    3.2 石墨烯晶胞的吸附第31-34页
        3.2.1 吸附原子与位置的选取第31页
        3.2.2 吸附体系的能量第31-33页
        3.2.3 吸附对石墨烯能带的影响第33-34页
    3.3 电极中石墨烯晶胞的放置第34-36页
        3.3.1 石墨烯晶胞的最佳位置第34-35页
        3.3.2 石墨烯超晶胞的旋转第35-36页
4 计算结果分析第36-47页
    4.1 石墨烯晶胞旋转第36-41页
        4.1.1 旋转的透射率第36-38页
        4.1.2 旋转的I-V、dI/dV图像第38-41页
    4.2 石墨烯超晶胞吸附硼或氮原子第41-47页
        4.2.1 吸附体系下接触电极的透射率第41-43页
        4.2.2 吸附体系下的I-V图像以及吸附的dI/dV图像第43-47页
5 结论第47-48页
参考文献第48-52页
作者简历第52-54页
学位论文数据集第54页

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