半导体环形激光器的研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 第一章 引言 | 第8-17页 |
| ·研究目的和研究动机 | 第8页 |
| ·全光双稳态的研究历史与进展 | 第8-9页 |
| ·半导体环形激光器的工作原理 | 第9-11页 |
| ·半导体环形激光器的应用 | 第11-13页 |
| ·光存储——双稳态特性 | 第11-12页 |
| ·光逻辑——单稳态特性 | 第12-13页 |
| ·半导体环形激光器的研究历史 | 第13-14页 |
| ·本课题的研究背景和本论文的主要内容 | 第14-17页 |
| 第二章 半导体环形激光器的材料 | 第17-27页 |
| ·半导体激光器材料的三个主要发展阶段 | 第17-18页 |
| ·半导体量子阱激光器材料的基本原理 | 第18-20页 |
| ·半导体量子阱激光器材料的分别限制结构 | 第20页 |
| ·半导体量子阱激光器材料的四元系材料结构 | 第20-22页 |
| ·半导体量子阱激光器材料的应变量子阱结构 | 第22-24页 |
| ·半导体环形激光器的材料结构 | 第24-27页 |
| 第三章 半导体环形激光器的器件设计 | 第27-42页 |
| ·器件设计的总体考虑 | 第27-28页 |
| ·环形波导的几何尺寸 | 第28-29页 |
| ·脊形波导 | 第29-35页 |
| ·浅刻蚀波导的设计 | 第30-32页 |
| ·深刻蚀波导的设计 | 第32-35页 |
| ·波导的耦合 | 第35-38页 |
| ·输出波导（bus 波导） | 第38-39页 |
| ·环形激光器的电极 | 第39-40页 |
| ·实际设计的版图 | 第40-42页 |
| 第四章 半导体环形激光器的制作工艺 | 第42-56页 |
| ·工艺流程 | 第42页 |
| ·实验芯片的准备 | 第42-44页 |
| ·隔离槽的制作 | 第44-46页 |
| ·波导的制作 | 第46-53页 |
| ·Si0_2刻蚀掩膜 | 第47-49页 |
| ·干法刻蚀脊形波导 | 第49-53页 |
| ·平坦化和金属电极的制作 | 第53-56页 |
| ·平坦化工艺 | 第53-54页 |
| ·金属电极的制作 | 第54-56页 |
| 第五章 半导体环形激光器的测试与分析 | 第56-66页 |
| ·浅刻蚀环形激光器的测试与分析 | 第57-62页 |
| ·深刻蚀环形激光器的测试与分析 | 第62-66页 |
| 第六章 结论与下一步的研究工作 | 第66-69页 |
| ·结论 | 第66-67页 |
| ·下一步的研究工作 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-75页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第75-76页 |
| 致谢 | 第76页 |
