| 摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-10页 |
| 目录 | 第10-12页 |
| 图表目录 | 第12-14页 |
| 表格目录 | 第14-15页 |
| 符号说明 | 第15-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-37页 |
| ·纳米材料概述 | 第17-18页 |
| ·纳米材料的特性 | 第18-19页 |
| ·一维纳米材料 | 第19-20页 |
| ·硅纳米线的制备技术 | 第20-25页 |
| ·硅纳米线阵列的表面修饰改性 | 第25-26页 |
| ·硅纳米线的应用研究现状 | 第26-30页 |
| ·硅纳米线在微电子器件方面的应用 | 第26-28页 |
| ·硅纳米线在传感器方面的应用 | 第28-30页 |
| ·本文的主要研究内容 | 第30-32页 |
| 参考文献 | 第32-37页 |
| 第二章 金属镍修饰的硅纳米线阵列制备和表征 | 第37-51页 |
| ·SiNWs阵列的制备 | 第37-39页 |
| ·硅纳米线阵列的刻蚀机理 | 第39-41页 |
| ·硅纳米线阵列的表征 | 第41-43页 |
| ·硅纳米线阵列的SEM表征 | 第41-42页 |
| ·硅纳米线阵列的XRD表征 | 第42-43页 |
| ·镍的无电镀技术 | 第43-44页 |
| ·无电镀技术 | 第43页 |
| ·无电镀镍 | 第43页 |
| ·镍及其合金的应用 | 第43-44页 |
| ·Ni/SiNWs阵列的制备和表征 | 第44-48页 |
| ·镍对硅纳米线阵列的修饰 | 第44-47页 |
| ·Ni/SiNWs阵列的SEM和XRD表征 | 第47-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-51页 |
| 第三章 镍与硅纳米线接触特性研究 | 第51-72页 |
| ·基于肖特基结构的电流-电压(I-V)测试原理 | 第51-54页 |
| ·肖特基势垒的形成 | 第51-52页 |
| ·肖特基势垒高度的影响因素 | 第52-53页 |
| ·肖特基二极管的电流传输特性 | 第53-54页 |
| ·基于Ni/n-SiNWs接触的肖特基二极管的制备 | 第54-56页 |
| ·Ni/n-SiNWs/Al肖特基二极管电流-电压测试 | 第56-62页 |
| ·肖特基二极管电学参数提取方法 | 第56-59页 |
| ·Ni/n-SiNWs肖特基二极管参数提取 | 第59-61页 |
| ·温度对Ni/n-SiNWs肖特基二极管参数的影响 | 第61-62页 |
| ·理想因子和势垒高度变化机制探讨 | 第62-65页 |
| ·费米能级钉扎效应(The Fermi Level Pinning Effect) | 第62-63页 |
| ·势垒高度不均一性机制(Barrier Height Inhomogeneities) | 第63-65页 |
| ·硅纳米线表面态和表面缺陷理论 | 第65页 |
| ·Ni/n-SiNWs肖特基二极管电流传输机制 | 第65-67页 |
| ·本章小结 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-72页 |
| 第四章 基于Ni/SiNWs电极的过氧化氢电化学生物传感器 | 第72-89页 |
| ·电化学生物传感器的概述 | 第72-74页 |
| ·过氧化氢电化学生物传感器研究现状 | 第74-75页 |
| ·Ni/SiNWs复合电极制备和测试系统 | 第75-77页 |
| ·Ni/SiNWs电极对过氧化氢的敏感性测试 | 第77-83页 |
| ·Ni(OH)_2/SiNWs电极的形成 | 第77-78页 |
| ·Ni(OH)_2/SiNWs电极对过氧化氢的催化机理 | 第78-80页 |
| ·Ni(OH)_2/SiNWs电极对过氧化氢催化的恒电位测试 | 第80-82页 |
| ·Ni(OH)_2/SiNWs电极稳定性测试 | 第82页 |
| ·Ni(OH)_2/SiNWs电极选择性和抗干扰性测试 | 第82-83页 |
| ·本章小结 | 第83-85页 |
| 参考文献 | 第85-89页 |
| 第五章 总结和展望 | 第89-91页 |
| 致谢 | 第91-92页 |
| 攻读硕士期间论文发表情况 | 第92页 |
