| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-30页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 Ⅲ族氮化物晶体结构和基本性质 | 第12-17页 |
| 1.2.1 GaN、AIN以及InN晶体结构 | 第12-13页 |
| 1.2.2 GaN、InN以及InGaN纳米线的基本性质 | 第13-14页 |
| 1.2.3 GaN和InN的光学性质以及电学性质 | 第14-17页 |
| 1.2.3.1 GaN和InN的光学性质 | 第14-15页 |
| 1.2.3.2 GaN和InN的电学性质 | 第15-17页 |
| 1.3 GaN、InN以及InGaN纳米线的制备方法 | 第17-21页 |
| 1.3.1 金属氧化物化学气相淀积(MOCVD)介绍 | 第17-19页 |
| 1.3.2 分子束外延(MBE)介绍 | 第19页 |
| 1.3.3 氢化物气相外延(HVPE)介绍 | 第19-20页 |
| 1.3.4 金属源升华化学气相淀积(CVD)介绍 | 第20-21页 |
| 1.4 测试样品的表征手段 | 第21-25页 |
| 1.4.1 扫描电子显微镜(SEM) | 第21-22页 |
| 1.4.2 高分辨X射线衍射(HRXRD) | 第22-23页 |
| 1.4.3 拉曼光谱(Raman) | 第23-24页 |
| 1.4.4 光致发光谱(PL) | 第24-25页 |
| 1.5 本文的主要内容 | 第25-27页 |
| 参考文献 | 第27-30页 |
| 第二章 石墨烯上GaN纳米线生长研究 | 第30-47页 |
| 2.1 引言 | 第30-31页 |
| 2.2 生长GaN纳米线的实验条件 | 第31-34页 |
| 2.3 实验数据结果与分析 | 第34-42页 |
| 2.3.1 不同NH_3流量条件下GaN纳米线的形貌 | 第34-35页 |
| 2.3.2 不同生长时间条件下GaN纳米线的形貌 | 第35页 |
| 2.3.3 催化剂和缓冲层上生长GaN纳米线的形貌 | 第35-37页 |
| 2.3.4 在不同的生长温度和衬底条件下GaN纳米线的形貌 | 第37-38页 |
| 2.3.5 不同温度条件下生长GaN纳米线的发光特性和应力 | 第38-40页 |
| 2.3.6 在催化剂和石墨烯上生长的GaN纳米线形貌和光学性质 | 第40-41页 |
| 2.3.7 在催化剂和石墨烯上生长GaN纳米线的晶体质量 | 第41-42页 |
| 2.4 小结 | 第42-44页 |
| 参考文献 | 第44-47页 |
| 第三章 石墨烯上生长InN纳米线的研究 | 第47-56页 |
| 3.1 引言 | 第47-48页 |
| 3.2 实验条件 | 第48-49页 |
| 3.3 实验结果与讨论 | 第49-52页 |
| 3.3.1 在催化剂和石墨烯上生长的InN纳米线的形貌 | 第49页 |
| 3.3.2 在催化剂和石墨烯上生长的InN纳米线的晶体质量和晶相 | 第49-51页 |
| 3.3.3 在催化剂和石墨烯上生长的InN纳米线的应力 | 第51-52页 |
| 3.4 小结 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-56页 |
| 第四章 结论 | 第56-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文和专利 | 第59-60页 |
