摘要 | 第8-10页 |
ABSTRACT | 第10-11页 |
符号说明 | 第12-13页 |
第1章 绪论 | 第13-26页 |
1.1 课题研究背景和意义 | 第13-15页 |
1.2 固态变压器的研究现状 | 第15-24页 |
1.2.1 单相固态变压器的发展 | 第16-19页 |
1.2.2 三相固态变压器的发展 | 第19-21页 |
1.2.3 基于碳化硅器件的固态变压器 | 第21-24页 |
1.3 本文主要工作 | 第24-26页 |
第2章 SiC-SST主电路分析 | 第26-39页 |
2.1 前端整流级拓扑分析与建模 | 第26-32页 |
2.1.1 前端整流级电路分析 | 第27-28页 |
2.1.2 前端整流级数学模型 | 第28-32页 |
2.2 DAB级拓扑分析与建模 | 第32-37页 |
2.2.1 DAB级基本工作过程 | 第33-36页 |
2.2.2 DAB级能量传输过程分析 | 第36-37页 |
2.3 第三级分析 | 第37-38页 |
2.4 本章小结 | 第38-39页 |
第3章 SiC-SST控制策略 | 第39-54页 |
3.1 前端整流级控制 | 第39-44页 |
3.1.1 前端整流级电流内环控制 | 第39-42页 |
3.1.2 前端整流级电压外环控制 | 第42-44页 |
3.2 DAB级控制 | 第44-45页 |
3.3 电网电压不平衡下SiC-SST系统控制 | 第45-48页 |
3.4 两种控制策略仿真验证 | 第48-53页 |
3.4.1 电网电压平衡下SiC-SST系统仿真 | 第49-51页 |
3.4.2 电网电压不平衡下SiC-SST系统仿真 | 第51-53页 |
3.5 本章小结 | 第53-54页 |
第4章 碳化硅MOSFET驱动与保护电路研究 | 第54-68页 |
4.1 SiC MOSFET特性研究 | 第54-56页 |
4.1.1 SiC MOSFET基本特性 | 第54-55页 |
4.1.2 SiC MOSFET极间电容等效电路模型 | 第55-56页 |
4.2 驱动电路研究与设计 | 第56-58页 |
4.2.1 驱动电路基本要求 | 第56-57页 |
4.2.2 SiC MOSFET驱动电路设计 | 第57-58页 |
4.3 过流保护电路研究与设计 | 第58-65页 |
4.3.1 过流检测电路 | 第59-61页 |
4.3.2 开关逻辑信号产生电路 | 第61-63页 |
4.3.3 过流保护电路仿真分析 | 第63-65页 |
4.4 驱动与保护电路实验验证 | 第65-67页 |
4.5 本章小结 | 第67-68页 |
第5章 实验样机设计与验证 | 第68-80页 |
5.1 样机硬件设计 | 第68-74页 |
5.1.1 主电路 | 第68-69页 |
5.1.2 控制电路 | 第69-71页 |
5.1.3 采样调理电路 | 第71-74页 |
5.1.4 保护电路 | 第74页 |
5.2 样机软件设计 | 第74-76页 |
5.2.1 主程序设计 | 第75页 |
5.2.2 中断服务程序设计 | 第75-76页 |
5.3 样机实验结果 | 第76-79页 |
5.4 本章小结 | 第79-80页 |
第6章 总结与展望 | 第80-83页 |
6.1 工作总结 | 第80-81页 |
6.2 工作展望 | 第81-83页 |
参考文献 | 第83-88页 |
致谢 | 第88-89页 |
在读期间参与的科研项目及学术成果 | 第89-90页 |
学位论文评阅及答辩情况表 | 第90页 |