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基于SiC MOSFETs的三相固态变压器的研究

摘要第8-10页
ABSTRACT第10-11页
符号说明第12-13页
第1章 绪论第13-26页
    1.1 课题研究背景和意义第13-15页
    1.2 固态变压器的研究现状第15-24页
        1.2.1 单相固态变压器的发展第16-19页
        1.2.2 三相固态变压器的发展第19-21页
        1.2.3 基于碳化硅器件的固态变压器第21-24页
    1.3 本文主要工作第24-26页
第2章 SiC-SST主电路分析第26-39页
    2.1 前端整流级拓扑分析与建模第26-32页
        2.1.1 前端整流级电路分析第27-28页
        2.1.2 前端整流级数学模型第28-32页
    2.2 DAB级拓扑分析与建模第32-37页
        2.2.1 DAB级基本工作过程第33-36页
        2.2.2 DAB级能量传输过程分析第36-37页
    2.3 第三级分析第37-38页
    2.4 本章小结第38-39页
第3章 SiC-SST控制策略第39-54页
    3.1 前端整流级控制第39-44页
        3.1.1 前端整流级电流内环控制第39-42页
        3.1.2 前端整流级电压外环控制第42-44页
    3.2 DAB级控制第44-45页
    3.3 电网电压不平衡下SiC-SST系统控制第45-48页
    3.4 两种控制策略仿真验证第48-53页
        3.4.1 电网电压平衡下SiC-SST系统仿真第49-51页
        3.4.2 电网电压不平衡下SiC-SST系统仿真第51-53页
    3.5 本章小结第53-54页
第4章 碳化硅MOSFET驱动与保护电路研究第54-68页
    4.1 SiC MOSFET特性研究第54-56页
        4.1.1 SiC MOSFET基本特性第54-55页
        4.1.2 SiC MOSFET极间电容等效电路模型第55-56页
    4.2 驱动电路研究与设计第56-58页
        4.2.1 驱动电路基本要求第56-57页
        4.2.2 SiC MOSFET驱动电路设计第57-58页
    4.3 过流保护电路研究与设计第58-65页
        4.3.1 过流检测电路第59-61页
        4.3.2 开关逻辑信号产生电路第61-63页
        4.3.3 过流保护电路仿真分析第63-65页
    4.4 驱动与保护电路实验验证第65-67页
    4.5 本章小结第67-68页
第5章 实验样机设计与验证第68-80页
    5.1 样机硬件设计第68-74页
        5.1.1 主电路第68-69页
        5.1.2 控制电路第69-71页
        5.1.3 采样调理电路第71-74页
        5.1.4 保护电路第74页
    5.2 样机软件设计第74-76页
        5.2.1 主程序设计第75页
        5.2.2 中断服务程序设计第75-76页
    5.3 样机实验结果第76-79页
    5.4 本章小结第79-80页
第6章 总结与展望第80-83页
    6.1 工作总结第80-81页
    6.2 工作展望第81-83页
参考文献第83-88页
致谢第88-89页
在读期间参与的科研项目及学术成果第89-90页
学位论文评阅及答辩情况表第90页

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