| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第11-47页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 半导体光催化简介 | 第12-25页 |
| 1.2.1 光催化剂和光催化氧化技术 | 第13-14页 |
| 1.2.2 半导体光催化的基本原理 | 第14-18页 |
| 1.2.3 光催化的应用 | 第18-22页 |
| 1.2.4 现有光催化剂存在的问题 | 第22-25页 |
| 1.3 半导体在光催化的反应中的作用 | 第25-29页 |
| 1.3.1 染料污染物与TiO_2表面的相互作用 | 第26-28页 |
| 1.3.2 半导体光催化对染料污染物的降解性能 | 第28-29页 |
| 1.4 基于无机物质的可见光吸收进行的光催化降解 | 第29-32页 |
| 1.4.1 光催化反应中金属配合物对可见光的吸收 | 第30-31页 |
| 1.4.2 基于贵金属的等离子共振吸收的光催化反应 | 第31-32页 |
| 1.5 半导体光催化中的自由基反应 | 第32-34页 |
| 1.6 半导体光催化剂的改性技术 | 第34-39页 |
| 1.6.1 金属离子掺杂 | 第34-35页 |
| 1.6.2 非金属离子掺杂 | 第35-36页 |
| 1.6.3 沉积贵金属物质 | 第36-37页 |
| 1.6.4 表面改性 | 第37-38页 |
| 1.6.5 光催化半导体的复合化 | 第38-39页 |
| 1.6.6 染料光敏化 | 第39页 |
| 1.7 异质结光催化剂概况 | 第39-43页 |
| 1.7.1 p-n结界面区的内建电场 | 第40-41页 |
| 1.7.2 p-n结复合半导体光催化剂的载流子传输原理 | 第41-43页 |
| 1.7.3 异质结的制备工艺 | 第43页 |
| 1.8 钛酸铋光催化剂 | 第43-44页 |
| 1.9 本文研究的目的、意义及主要内容 | 第44-47页 |
| 1.9.1 本文研究的目的和意义 | 第44-45页 |
| 1.9.2 本文研究的主要内容 | 第45-47页 |
| 第2章 实验部分 | 第47-51页 |
| 2.1 实验试剂与仪器设备 | 第47-48页 |
| 2.2 Bi_4Ti_3O_(12)/TiO_2异质结原位制备的制备 | 第48-49页 |
| 2.3 Bi_4Ti_3O_(12)/TiO_2异质结的性能表征 | 第49-51页 |
| 2.3.1 X射线衍射分析 | 第49页 |
| 2.3.2 扫描电子显微电镜 | 第49-50页 |
| 2.3.3 紫外可见分分光光度计 | 第50页 |
| 2.3.4 光电性能的表征 | 第50页 |
| 2.3.5 光催化活性的表征 | 第50-51页 |
| 第3章 Bi_4Ti_3O_(12)/TiO_2异质结原位制备工艺与性能 | 第51-59页 |
| 3.1 前言 | 第51-52页 |
| 3.2 Bi相对含量对Bi_4Ti_3O_(12)/TiO_2材料结构的影响 | 第52-54页 |
| 3.3 Bi相对含量对Bi_4Ti_3O_(12)/TiO_2紫外-可见波段吸收的影响 | 第54-55页 |
| 3.4 Bi相对含量对Bi_4Ti_3O_(12)/TiO_2光催化活性的影响 | 第55-57页 |
| 3.5 Bi相对含量对Bi_4Ti_3O_(12)/TiO_2光电性能的影响 | 第57-58页 |
| 3.6 本章小结 | 第58-59页 |
| 第4章 总结与展望 | 第59-61页 |
| 4.1 全文总结 | 第59-60页 |
| 4.2 未来工作展望 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-73页 |
| 致谢 | 第73-75页 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 | 第75页 |
