| 摘要 | 第5-7页 |
| abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-24页 |
| 1.1 铁电材料与铁电薄膜 | 第11-17页 |
| 1.1.1 铁电材料的分类 | 第11-13页 |
| 1.1.2 铁电材料的主要特性 | 第13-15页 |
| 1.1.3 铁电薄膜的发展背景及问题 | 第15-17页 |
| 1.2 薄膜的形成与生长 | 第17-18页 |
| 1.3 钙钛矿（ABO_3）型铁电薄膜 | 第18-20页 |
| 1.4 Pb(Hf_xTi_(1-x))O_3铁电材料简介 | 第20-21页 |
| 1.5 影响薄膜结构与性能的因素 | 第21-22页 |
| 1.5.1 材料组分 | 第21-22页 |
| 1.5.2 工艺参数 | 第22页 |
| 1.6 论文选题及研究方案 | 第22-24页 |
| 第二章 常用的薄膜制备技术及分析方法 | 第24-35页 |
| 2.1 常用的薄膜制备技术 | 第24-27页 |
| 2.1.1 溅射法 | 第24页 |
| 2.1.2 金属有机化合物化学气相沉积法（MOCVD） | 第24-25页 |
| 2.1.3 溶胶-凝胶法（Sol-Gol） | 第25页 |
| 2.1.4 脉冲激光沉积（PLD） | 第25-27页 |
| 2.2 薄膜结构表征 | 第27-30页 |
| 2.2.1 X射线衍射分析(XRD) | 第27-29页 |
| 2.2.2 扫描电子显微镜（SEM） | 第29-30页 |
| 2.3 薄膜电学性能表征 | 第30-35页 |
| 2.3.1 电极的制备 | 第30页 |
| 2.3.2 薄膜铁电性能（PE）测试 | 第30-32页 |
| 2.3.3 薄膜绝缘性能（IV）测试 | 第32-34页 |
| 2.3.4 薄膜介电性能（CV）测试 | 第34-35页 |
| 第三章 Pt/Si衬底上Pb(Hf_(0.48)Ti_(0.52))O_3薄膜制备工艺研究 | 第35-54页 |
| 3.1 靶材的制备 | 第35-37页 |
| 3.2 脉冲激光沉积法制备Pb(Hf_(0.48)Ti_(0.52))O_3薄膜 | 第37-38页 |
| 3.3 氧分压对Pb(Hf_(0.48)Ti_(0.52))O_3薄膜的影响 | 第38-41页 |
| 3.4 温度对Pb(Hf_(0.48)Ti_(0.52))O_3薄膜的影响 | 第41-45页 |
| 3.5 自缓冲层对Pb(Hf_(0.48)Ti_(0.52))O_3薄膜的影响 | 第45-52页 |
| 3.6 本章小结 | 第52-54页 |
| 第四章 Hf掺杂量对Pb(Hf_xTi_(1-x))O_3薄膜的影响 | 第54-60页 |
| 4.1 不同Hf掺杂量下PHT薄膜的最佳生长参数探究 | 第54-55页 |
| 4.2 低温自缓冲层上生长PHT薄膜 | 第55-59页 |
| 4.2.1 不同Hf掺杂量对PHT薄膜结构的影响 | 第55-56页 |
| 4.2.2 Hf掺杂量对薄膜电学性能的影响 | 第56-59页 |
| 4.3 本章小结 | 第59-60页 |
| 第五章 结论 | 第60-62页 |
| 5.1 总结 | 第60-61页 |
| 5.2 展望 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-68页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第68-69页 |
