| 摘要 | 第8-10页 |
| Abstract | 第10-12页 |
| 第一章 绪论 | 第14-44页 |
| 1.1 纳米材料的研究 | 第14-17页 |
| 1.1.1 纳米材料的研究意义 | 第14-15页 |
| 1.1.2 纳米材料的研究进展 | 第15-17页 |
| 1.2 纳米电子器件的研究意义与发展现状 | 第17-31页 |
| 1.2.1 纳米电子器件的研究意义 | 第17-19页 |
| 1.2.2 纳米电子器件的研究现状 | 第19-29页 |
| 1.2.3 纳米电子器件的实验与理论研究方法 | 第29-31页 |
| 1.3 本课题提出的意义及主要研究内容 | 第31-33页 |
| 参考文献 | 第33-44页 |
| 第二章 计算方法 | 第44-56页 |
| 2.1 经典分子动力学 | 第44-48页 |
| 2.1.1 分子动力学方程的建立及求解 | 第45-47页 |
| 2.1.2 原子间相互作用势 | 第47-48页 |
| 2.2 非平衡格林函数 | 第48-52页 |
| 2.2.1 Landauer-Buttiker输运理论 | 第49-50页 |
| 2.2.2 非平衡格林函数法计算多能级体系电子输运 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-56页 |
| 第三章 Si纳米线的结构演变和电子传输特性 | 第56-68页 |
| 3.1 引言 | 第56-57页 |
| 3.2 研究方法及计算参数 | 第57-58页 |
| 3.3 SI纳米线的结构演变和电子输运特性 | 第58-64页 |
| 3.4 本章小结 | 第64页 |
| 参考文献 | 第64-68页 |
| 第四章 掺杂超细硅纳米线器件的电子输运特性 | 第68-84页 |
| 4.1 引言 | 第68页 |
| 4.2 研究方法 | 第68-71页 |
| 4.3 结果和讨论 | 第71-81页 |
| 4.3.1 掺杂原子对Si纳米线器件电子输运性质的影响 | 第71-73页 |
| 4.3.2 门电压对Si纳米线电子器件的电子输运性质的影响 | 第73-79页 |
| 4.3.3 低源漏电压下硅纳米线的电子输运特性 | 第79-81页 |
| 4.4 总结 | 第81页 |
| 参考文献 | 第81-84页 |
| 第五章 吸附水分子和官能团的石墨烯的电子输运性质 | 第84-98页 |
| 5.1 引言 | 第84页 |
| 5.2 研究方法 | 第84-86页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第86-94页 |
| 5.4 本章小结 | 第94页 |
| 参考文献 | 第94-98页 |
| 第六章 总结与展望 | 第98-100页 |
| 6.1 结论 | 第98-99页 |
| 6.2 展望 | 第99-100页 |
| 致谢 | 第100-102页 |
| 附录 | 第102-104页 |
| 附件 | 第104-129页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第129页 |
