| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第1章 绪论 | 第12-22页 |
| 1.1 课题研究背景及意义 | 第12-20页 |
| 1.1.1 液晶简介 | 第12-14页 |
| 1.1.2 液晶弹性形变 | 第14页 |
| 1.1.3 液晶的介电效应 | 第14-15页 |
| 1.1.4 液晶的挠曲电效应 | 第15-17页 |
| 1.1.5 课题的研究背景 | 第17-19页 |
| 1.1.6 课题的研究意义 | 第19-20页 |
| 1.2 本文的主要工作 | 第20-22页 |
| 第2章 向列相液晶反转壁中±1 缺陷处挠曲电效应的理论分析 | 第22-44页 |
| 2.1 缺陷理论 | 第22-23页 |
| 2.2 反转壁中±1 缺陷的实验结果 | 第23-25页 |
| 2.3 理论模型 | 第25-32页 |
| 2.4 数值模拟 | 第32-43页 |
| 2.4.1 锚定强度对缺陷处指向矢的影响 | 第33-35页 |
| 2.4.2 向列相液晶反转壁中+1 缺陷处的挠曲电效应 | 第35-38页 |
| 2.4.3 向列相液晶反转壁中-1 缺陷处的挠曲电效应 | 第38-43页 |
| 2.5 本章小结 | 第43-44页 |
| 第3章 挠曲电效应对液晶指向矢和导模的影响 | 第44-74页 |
| 3.1 挠曲电效应对HAN盒中液晶指向矢的影响 | 第44-47页 |
| 3.1.1 理论推导 | 第44-46页 |
| 3.1.2 数值模拟 | 第46-47页 |
| 3.2 挠曲电效应对HAN-IPS盒中液晶指向矢的影响 | 第47-56页 |
| 3.2.1 理论推导 | 第47-53页 |
| 3.2.2 数值模拟 | 第53-56页 |
| 3.3 挠曲电效应对液晶导模的影响 | 第56-72页 |
| 3.3.1 液晶的多层光学理论 | 第56-65页 |
| 3.3.2 挠曲电效应对HAN液晶导模的影响 | 第65-68页 |
| 3.3.3 挠曲电效应对HAN-IPS液晶导模的影响 | 第68-72页 |
| 3.4 本章小结 | 第72-74页 |
| 第4章 向列相液晶材料挠曲电系数的确定 | 第74-92页 |
| 4.1 液晶光导波技术简介 | 第74-79页 |
| 4.1.1 液晶光导波 | 第74-76页 |
| 4.1.2 液晶光导波技术流程 | 第76-78页 |
| 4.1.3 液晶光导波技术实验装置 | 第78-79页 |
| 4.2 全漏光导波技术确定向列相液晶材料的挠曲电系数e1+e3 | 第79-83页 |
| 4.3 全漏光导波技术确定向列相液晶材料的挠曲电系数e1-e3 | 第83-87页 |
| 4.4 挠曲电畴临界电压确定BCN液晶材料的挠曲电系数|e1-e3| | 第87-90页 |
| 4.4.1 BCN液晶简介 | 第87-88页 |
| 4.4.2 挠曲电畴临界电压确定BCN液晶材料的挠曲电系数 | 第88-90页 |
| 4.5 本章小结 | 第90-92页 |
| 第5章 结论与展望 | 第92-96页 |
| 5.1 结论 | 第92-93页 |
| 5.2 研究展望 | 第93-96页 |
| 参考文献 | 第96-108页 |
| 附录 | 第108-128页 |
| 附录A在外加电场作用下,±1 缺陷理论中一些系数的具体表达式 | 第108-114页 |
| 附录B +1 缺陷在圆柱侧面 ρ=R处的边界条件 | 第114-118页 |
| 附录C HAN-IPS液晶盒中 θ 和 φ 平衡态方程中系数的具体表达式 | 第118-120页 |
| 附录D HAN-IPS液晶盒中电压、倾角和方位角的数值表示 | 第120-128页 |
| 在学期间学术成果情况 | 第128-129页 |
| 指导教师及作者简介 | 第129-130页 |
| 致谢 | 第130页 |
