基于ZnO薄膜的低阈值电压压敏电阻
| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-11页 |
| 第1章 文献综述 | 第11-26页 |
| ·引言 | 第11-12页 |
| ·ZnO薄膜的基本性质 | 第12-15页 |
| ·ZnO的基本特性 | 第12-13页 |
| ·ZnO的晶体结构 | 第13页 |
| ·ZnO的光学特性 | 第13-14页 |
| ·ZnO的电学特性 | 第14-15页 |
| ·ZnO的其他特性 | 第15页 |
| ·ZnO薄膜的发展应用 | 第15-18页 |
| ·压敏器件 | 第15-16页 |
| ·光电器件 | 第16-17页 |
| ·气敏器件 | 第17页 |
| ·其他应用 | 第17-18页 |
| ·压敏效应原理及其表征 | 第18-22页 |
| ·二极管的I-V特性 | 第18-20页 |
| ·ZnO薄膜的I-V特性 | 第20-22页 |
| ·ZnO压敏电阻的研究现状及应用 | 第22-25页 |
| ·ZnO压敏电阻的研究现状 | 第22-24页 |
| ·ZnO压敏电阻的应用 | 第24-25页 |
| ·本论文的研究意义、目的和主要内容 | 第25-26页 |
| ·本文的研究意义及目的 | 第25页 |
| ·主要研究内容 | 第25-26页 |
| 第2章 ZnO薄膜的制备方法及其表征技术 | 第26-34页 |
| ·直流反应磁控溅射 | 第26-29页 |
| ·磁控溅射概述 | 第26-27页 |
| ·直流反应磁控溅射的原理 | 第27页 |
| ·直流反应磁控溅射系统 | 第27-28页 |
| ·磁控溅射的特点 | 第28-29页 |
| ·真空蒸发镀膜法 | 第29-30页 |
| ·薄膜性能的表征 | 第30-33页 |
| ·X射线衍射(XRD)测试 | 第30-31页 |
| ·I-V特性曲线测试 | 第31-32页 |
| ·透射光谱的测试 | 第32页 |
| ·其他的薄膜性能表征方法 | 第32-33页 |
| ·本章小结 | 第33-34页 |
| 第3章 ZnO薄膜压敏电阻的制备 | 第34-40页 |
| ·薄膜制备准备工作 | 第34页 |
| ·单层ZnO薄膜的制备 | 第34-35页 |
| ·多层ZnO薄膜的制备 | 第35页 |
| ·铜电极蒸镀过程 | 第35-36页 |
| ·ZnO薄膜沉积速率的计算 | 第36-39页 |
| ·ZnO薄膜的厚度 | 第36-38页 |
| ·ZnO薄膜的沉积速率 | 第38-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 第4章 ZnO薄膜压敏电阻性能研究 | 第40-61页 |
| ·ZnO薄膜压敏电阻压敏特性初探 | 第40-42页 |
| ·薄膜厚度对ZnO薄膜性能的影响 | 第42-48页 |
| ·膜厚对ZnO薄膜晶体结构的影响 | 第42-45页 |
| ·膜厚对ZnO薄膜压敏特性的影响 | 第45-48页 |
| ·氧流量对ZnO薄膜性能的影响 | 第48-51页 |
| ·氧流量对ZnO薄膜晶体结构的影响 | 第49-50页 |
| ·氧流量对ZnO薄膜压敏特性的影响 | 第50-51页 |
| ·退火温度对ZnO薄膜性能的影响 | 第51-55页 |
| ·退火温度对ZnO薄膜晶体结构的影响 | 第52-54页 |
| ·退火温度对ZnO薄膜压敏特性的影响 | 第54-55页 |
| ·退火时间对ZnO薄膜性能的影响 | 第55-58页 |
| ·退火时间对ZnO薄膜晶体结构的影响 | 第55-57页 |
| ·退火时间对ZnO薄膜压敏特性的影响 | 第57-58页 |
| ·不同衬底对ZnO薄膜性能的影响 | 第58-60页 |
| ·不同衬底对ZnO薄膜晶体结构的影响 | 第58-59页 |
| ·不同衬底对ZnO薄膜压敏特性的影响 | 第59-60页 |
| ·本章小结 | 第60-61页 |
| 第5章 后退火方法制备ZnO薄膜的性能研究 | 第61-64页 |
| ·利用后退火制备ZnO薄膜 | 第61-62页 |
| ·后退火制备ZnO薄膜性能的研究 | 第62-63页 |
| ·后退火温度对ZnO薄膜晶体结构的影响 | 第62页 |
| ·后退火温度对ZnO薄膜压敏特性的影响 | 第62-63页 |
| ·本章小结 | 第63-64页 |
| 第6章 结论 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-71页 |
| 附录 | 第71页 |
