摘要 | 第1-7页 |
Abstract | 第7-12页 |
第1章 绪论 | 第12-20页 |
·高功率脉冲磁控溅射(HIPIMS) | 第12-16页 |
·高功率脉冲磁控溅射技术的提出 | 第12-13页 |
·高功率脉冲磁控溅射技术的放电机制 | 第13-14页 |
·高功率脉冲磁控溅射的应用 | 第14-15页 |
·高功率脉冲磁控溅射存在问题 | 第15-16页 |
·CrN薄膜 | 第16-19页 |
·CrN薄膜性质和结构 | 第16页 |
·CrN薄膜应用 | 第16-17页 |
·CrN薄膜制备方法 | 第17-18页 |
·高功率脉冲磁控溅射技术制备CrN薄膜 | 第18-19页 |
·本文选题意义和研究内容 | 第19-20页 |
第2章 实验装置与实验方法 | 第20-28页 |
·高功率脉冲磁控溅射设备 | 第20-21页 |
·基体材料的选择与处理 | 第21页 |
·电学参数及等离子体发射光谱采集 | 第21-23页 |
·靶材放电电学参数的采集 | 第21-22页 |
·等离子体发射光谱的采集 | 第22-23页 |
·薄膜的厚度和应力分析 | 第23-24页 |
·薄膜的结构、成分和形貌分析 | 第24-26页 |
·薄膜的结构分析 | 第24页 |
·薄膜的成分分析 | 第24-25页 |
·薄膜的形貌分析 | 第25-26页 |
·薄膜的力学性能表征 | 第26-28页 |
·薄膜的显微硬度分析 | 第26页 |
·膜/基结合性能评价 | 第26-27页 |
·摩擦磨损性能评价 | 第27-28页 |
第3章 高功率脉冲磁控溅射Cr靶放电特性及等离子组分研究 | 第28-42页 |
·工作气压对Cr靶放电及等离子组分的影响 | 第28-31页 |
·工作气压Cr靶放电特性的影响 | 第28-30页 |
·工作气压对等离子体组分的影响 | 第30-31页 |
·频率对Cr靶放电及等离子组分的影响 | 第31-33页 |
·频率对Cr靶放电特性的影响 | 第31-32页 |
·频率对等离子体组分的影响 | 第32-33页 |
·脉冲宽度对Cr靶放电及等离子组分的影响 | 第33-36页 |
·脉冲宽度对Cr靶放电的影响 | 第33-35页 |
·脉冲宽度对等离子体组分的影响 | 第35-36页 |
·电压对Cr靶放电及等离子组分的影响 | 第36-38页 |
·电压对靶材放电特性的影响 | 第36-37页 |
·电压对等离子体组分的影响 | 第37-38页 |
·限流电阻对Cr靶放电及等离子组分的影响 | 第38-40页 |
·限流电阻对Cr靶放电特性的影响 | 第38-39页 |
·限流电阻对等离子体组分的影响 | 第39-40页 |
·本章小结 | 第40-42页 |
第4章 峰值功率对纯Cr薄膜结构与力学性能的影响 | 第42-52页 |
·Cr薄膜的制备 | 第42页 |
·基片离子流密度和离子原子到达比 | 第42-43页 |
·Cr薄膜沉积速率和残余应力 | 第43-45页 |
·Cr薄膜沉积速率 | 第43-44页 |
·Cr薄膜残余应力 | 第44-45页 |
·Cr薄膜微观结构 | 第45-48页 |
·Cr薄膜相结构分析 | 第45页 |
·Cr薄膜TEM分析 | 第45-46页 |
·Cr薄膜AFM分析 | 第46-48页 |
·Cr薄膜力学性能 | 第48-51页 |
·Cr薄膜显微硬度 | 第48-49页 |
·Cr薄膜与基体结合强度分析 | 第49-51页 |
·本章小结 | 第51-52页 |
第5章 峰值功率对CrN薄膜结构与力学性能的影响 | 第52-64页 |
·CrN薄膜的制备 | 第52-53页 |
·靶材放电特性及等离子体组分 | 第53-55页 |
·靶材放电特性曲线 | 第53-54页 |
·等离子体组分分析 | 第54-55页 |
·CrN薄膜沉积速率和微观结构 | 第55-58页 |
·CrN薄膜沉积速率 | 第55页 |
·CrN薄膜相结构分析 | 第55-56页 |
·CrN薄膜表面和断面形貌 | 第56-58页 |
·CrN薄膜成分分析 | 第58页 |
·CrN薄膜力学性能评价 | 第58-63页 |
·CrN薄膜残余应力 | 第58-59页 |
·CrN薄膜纳米硬度和弹性模量 | 第59-60页 |
·CrN薄膜与基体结合强度分析 | 第60-61页 |
·CrN薄膜耐磨性评价 | 第61-63页 |
·本章小结 | 第63-64页 |
结论 | 第64-65页 |
致谢 | 第65-66页 |
参考文献 | 第66-72页 |
攻读硕士学位期间发表论文 | 第72页 |