| 致谢 | 第1-6页 |
| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-13页 |
| 1 引言 | 第13-37页 |
| ·半导体——信息社会的基石 | 第13页 |
| ·半导体材料的基本特性 | 第13-23页 |
| ·固体材料的导电性 | 第13-14页 |
| ·半导体的晶体结构 | 第14-17页 |
| ·能带 | 第17-22页 |
| ·掺杂效应 | 第22-23页 |
| ·半导体纳米结构 | 第23-35页 |
| ·p-n 结与异质结 | 第23-27页 |
| ·量子阱、量子线和量子点 | 第27-33页 |
| ·半导体纳米结构的态密度 | 第33-35页 |
| ·本论文内容与研究思路 | 第35-37页 |
| 2 半导体光学响应的物理基础 | 第37-47页 |
| ·半导体材料光吸收的电磁学基础 | 第37-39页 |
| ·半导体中光学过程的微观描述 | 第39-47页 |
| ·二能级系统 | 第39-41页 |
| ·直接跃迁和间接跃迁 | 第41-43页 |
| ·光激发半导体中的准粒子及其相变 | 第43-47页 |
| 3 半导体量子线的制备和光谱学实验研究进展 | 第47-58页 |
| 4 半导体量子线光谱学理论方法概述 | 第58-67页 |
| ·运动方程方法 | 第58-64页 |
| ·格林函数方法 | 第64-65页 |
| ·T 矩阵方法 | 第65-67页 |
| 5 自由载流子跃迁下半导体量子线光谱学研究 | 第67-77页 |
| ·运动方程方法和关于微观极化的方程 | 第67-70页 |
| ·数值求解方法 | 第70-71页 |
| ·结果分析与讨论 | 第71-76页 |
| ·小结 | 第76-77页 |
| 6 基于屏蔽 Hartree-Fock 近似的半导体量子线光谱学研究 | 第77-97页 |
| ·SBE 和 SHF 理论 | 第78-83页 |
| ·半导体布洛赫方程及有效库仑势 | 第78-81页 |
| ·屏蔽和 SHF | 第81-83页 |
| ·数值计算方法 | 第83-87页 |
| ·矩阵求逆方法和近似 | 第83-85页 |
| ·求解有效哈密顿量矩阵方程方法 | 第85-87页 |
| ·结果分析与讨论 | 第87-95页 |
| ·小结 | 第95-97页 |
| 7 半导体量子线中载流子关联及其光谱学效应 | 第97-129页 |
| ·半导体量子线中载流子库仑关联理论 | 第97-99页 |
| ·数值计算方法与流程 | 第99-112页 |
| ·数值计算方法 | 第100-102页 |
| ·数值计算流程 | 第102-112页 |
| ·结果分析与讨论 | 第112-128页 |
| ·低密度下的吸收谱特性 | 第112-123页 |
| ·高密度下的增益谱特性 | 第123-128页 |
| ·小结 | 第128-129页 |
| 8 动态屏蔽量子线的量子限域效应 | 第129-139页 |
| ·动态屏蔽和量子线中载流子的自能 | 第129-130页 |
| ·有限高势垒下量子线的有效库仑势 | 第130-134页 |
| ·动态屏蔽下自能的量子限域效应 | 第134-138页 |
| ·小结 | 第138-139页 |
| 总结与展望 | 第139-142页 |
| 个人简历 | 第142-143页 |
| 发表文章 | 第143-144页 |
| 参考文献 | 第144-150页 |