| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-31页 |
| ·引言 | 第11-12页 |
| ·Heusler合金中的马氏体相变 | 第12-16页 |
| ·马氏体相变 | 第12-13页 |
| ·Heusler Ni-Mn-Sn合金 | 第13-14页 |
| ·Heusler合金的相变温度影响因素 | 第14-16页 |
| ·交换偏置效应 | 第16-29页 |
| ·引言 | 第16-18页 |
| ·交换偏置现象 | 第18-20页 |
| ·交换偏置效应的物理机制 | 第20-24页 |
| ·交换偏置主要的研究内容 | 第24-25页 |
| ·影响FM/AFM体系交换偏置效应的因素 | 第25-29页 |
| ·本文研究依据、意义、内容及目标 | 第29-31页 |
| 第二章 样品制备及性能表征 | 第31-41页 |
| ·样品制备 | 第31-32页 |
| ·样品熔炼 | 第31-32页 |
| ·热退火 | 第32页 |
| ·结构及性能表征 | 第32-41页 |
| ·X射线衍射 | 第32-33页 |
| ·磁性测量 | 第33-41页 |
| 第三章 半导体元素Si/Ge掺杂对Ni-Mn-Sn合金马氏体相变温度的影响 | 第41-63页 |
| ·引言 | 第41-44页 |
| ·原子平均价电子数目机制 | 第41页 |
| ·晶格尺寸因素 | 第41-42页 |
| ·电子密度机制 | 第42-44页 |
| ·样品制备与测试 | 第44页 |
| ·实验结果与分析 | 第44-60页 |
| ·XRD测试分析 | 第44-48页 |
| ·直流/交流测试分析 | 第48-60页 |
| ·本章小结 | 第60-63页 |
| 第四章 半导体元素Si/Ge掺杂对Ni-Mn-Sn合金交换偏置效应的影响 | 第63-75页 |
| ·引言 | 第63-64页 |
| ·样品的制备 | 第64页 |
| ·实验结果与讨论 | 第64-73页 |
| ·本章小结 | 第73-75页 |
| 结论 | 第75-77页 |
| 参考文献 | 第77-82页 |
| 附录 | 第82-83页 |
| 致谢 | 第83页 |