| 摘要 | 第1-6页 |
| 英文摘要 | 第6-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-47页 |
| ·基于电阻的新型非挥发性存储器 | 第12-17页 |
| ·磁致电阻存储器 | 第12-13页 |
| ·基于铁电的存储器 | 第13-14页 |
| ·多铁性材料的应用 | 第14-16页 |
| ·相变存储器 | 第16-17页 |
| ·其它基于电阻的非挥发性存储器 | 第17页 |
| ·RRAM的构造与集成 | 第17-22页 |
| ·RRAM的构造和类型 | 第17-18页 |
| ·“误读”问题与RRAM集成 | 第18-22页 |
| ·RRAM的物理机制 | 第22-32页 |
| ·整体效应 | 第22-25页 |
| ·导电细丝模型 | 第25-28页 |
| ·导电细丝形成与熔断机制 | 第28-32页 |
| ·RRAM的材料体系 | 第32-34页 |
| ·有机材料 | 第32-33页 |
| ·固态电解质 | 第33页 |
| ·过渡金属氧化物 | 第33-34页 |
| ·锰氧化物 | 第34-39页 |
| ·电子相分离 | 第34-35页 |
| ·动力学行为 | 第35-37页 |
| ·相分离态的应力调制 | 第37页 |
| ·电致电阻效应 | 第37-39页 |
| ·本文的目的、意义和内容安排 | 第39-41页 |
| 参考文献 | 第41-47页 |
| 第二章 锰氧化物的电阻开关和弛豫行为研究 | 第47-67页 |
| ·引言 | 第47-49页 |
| ·样品制备与实验方法 | 第49-50页 |
| ·多晶样品制备 | 第49页 |
| ·X射线衍射分析 | 第49-50页 |
| ·磁性和电输运测量方法 | 第50页 |
| ·LaCaMnFeO的电阻弛豫行为 | 第50-56页 |
| ·电输运和磁性质 | 第50-51页 |
| ·电阻开关效应和弛豫行为 | 第51-53页 |
| ·分析与讨论 | 第53-56页 |
| ·LaPrCaMnO的电阻开关特性和弛豫行为 | 第56-64页 |
| ·多电阻态开关效应和弛豫行为 | 第57-58页 |
| ·Ⅰ-Ⅴ特性 | 第58-61页 |
| ·热循环下的演化行为 | 第61-63页 |
| ·周期电流脉冲与温度循环 | 第63-64页 |
| ·本章小结 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-67页 |
| 第三章 LaPrCaMnO异常电子相分离的研究 | 第67-82页 |
| ·引言 | 第67-68页 |
| ·样品制备与实验方法 | 第68-69页 |
| ·温度循环中的系统状态 | 第69-73页 |
| ·改变循环温区 | 第69-72页 |
| ·固定循环温区 | 第72-73页 |
| ·磁循环对系统状态的影响 | 第73-76页 |
| ·定温磁循环 | 第73-75页 |
| ·变温磁循环 | 第75-76页 |
| ·分析与讨论 | 第76-79页 |
| ·本章小结 | 第79-80页 |
| 参考文献 | 第80-82页 |
| 第四章 掺杂铁电薄膜的电阻开关效应及其机理研究 | 第82-104页 |
| ·引言 | 第82-83页 |
| ·样品的制备与表征 | 第83-86页 |
| ·靶材及薄膜样品制备 | 第83-85页 |
| ·样品结构表征 | 第85-86页 |
| ·变温电阻开关系统 | 第86-87页 |
| ·YMn_(1-δ)O_3的电阻开关效应及其机理研究 | 第87-92页 |
| ·多台阶电阻开关效应 | 第87-90页 |
| ·阻变位置与传导机制 | 第90-91页 |
| ·表面Mn离子价态 | 第91-92页 |
| ·电阻开关现象的可能原因 | 第92页 |
| ·Co掺杂BaTiO_3薄膜的电阻开关效应及其机理研究 | 第92-99页 |
| ·电阻开关性能 | 第93-95页 |
| ·非均匀电阻率 | 第95-96页 |
| ·高阻态和低阻态的传导机制 | 第96-97页 |
| ·氧空位浓度对器件性能的影响 | 第97-99页 |
| ·本章小结 | 第99-101页 |
| 参考文献 | 第101-104页 |
| 第五章 总结与展望 | 第104-107页 |
| ·总结 | 第104-105页 |
| ·展望 | 第105-107页 |
| 博士期间发表论文目录 | 第107-109页 |
| 致谢 | 第109-111页 |