| 中文摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 目录 | 第10-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-52页 |
| ·纳米材料与器件 | 第13-23页 |
| ·纳米半导体技术的发展 | 第13-16页 |
| ·一维纳米半导体材料的制备 | 第16-19页 |
| ·纳米半导体器件及应用 | 第19-23页 |
| ·Ⅱ-Ⅵ 族半导体光电材料及应用 | 第23-31页 |
| ·Ⅱ-Ⅵ 族纳米半导体材料在光电探测器方面的研究和应用 | 第25-28页 |
| ·Ⅱ-Ⅵ 族纳米半导体材料发光二极管和激光器方面的研究和应用 | 第28-30页 |
| ·Ⅱ-Ⅵ 族纳米半导体材料光伏性能研究和应用 | 第30-31页 |
| ·Ⅱ-Ⅵ 族半导体的 p-型掺杂 | 第31-37页 |
| ·Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米材料掺杂 | 第33-36页 |
| ·ZnSe 纳米结构的 p-型掺杂 | 第36-37页 |
| ·纳米 p-n 结及光电子性能研究 | 第37-41页 |
| ·核壳结构纳米 p-n 结 | 第37-38页 |
| ·径向纳米 p-n 结 | 第38-39页 |
| ·一维纳米结构交叉 p-n 结 | 第39-40页 |
| ·其他结构的纳米 p-n 结 | 第40-41页 |
| ·研究动机与内容 | 第41-44页 |
| 本章参考文献 | 第44-52页 |
| 第二章 一步法掺杂并催化生长 p-型 ZnSe 纳米线及其电荷传输研究 | 第52-70页 |
| ·引言 | 第52-54页 |
| ·实验 | 第54-55页 |
| ·药品与实验设备 | 第54页 |
| ·纳米材料的合成与表征 | 第54-55页 |
| ·器件制备及电学性能测量 | 第55页 |
| ·实验结果与讨论 | 第55-65页 |
| ·ZnSe 纳米线的合成与表征 | 第55-59页 |
| ·ZnSe 纳米线的电学性能表征 | 第59-62页 |
| ·铋掺杂 ZnSe 纳米的低温导电机制研究 | 第62-65页 |
| ·本章结论 | 第65-66页 |
| 本章参考文献 | 第66-70页 |
| 第三章 ZnSe 纳米带/Si 纳米线 p-n 结阵列太阳能电池的构筑和性能研究 | 第70-103页 |
| ·引言 | 第70-72页 |
| ·实验 | 第72-75页 |
| ·药品和实验设备 | 第72-73页 |
| ·p-型 ZnSe 纳米结构的合成和表征 | 第73-74页 |
| ·多层石墨烯的合成与表征 | 第74页 |
| ·ZnSe 纳米带和 Si 纳米线 p-n 结阵列的制备 | 第74-75页 |
| ·结果与讨论 | 第75-98页 |
| ·磷掺杂 ZnSe 纳米线的表征分析 | 第75-77页 |
| ·磷掺杂 ZnSe 纳米线的电学性能分析 | 第77-82页 |
| ·ZnSe 纳米带与 Si 纳米线构筑的 p-n 结阵列及其光伏特性研究 | 第82-98页 |
| ·本章结论 | 第98-99页 |
| 本章参考文献 | 第99-103页 |
| 第四章 单根 ZnSe 纳米线与 Si 异质结的构筑及其光电子器件 | 第103-130页 |
| ·引言 | 第103-104页 |
| ·实验 | 第104-106页 |
| ·药品和实验设备 | 第104页 |
| ·氮掺杂 ZnSe 纳米线的制备和表征 | 第104-105页 |
| ·p-型 ZnSe 纳米线和 n-型 Si 衬底异质结的构筑 | 第105页 |
| ·ZnSe 纳米带-Si 纳米线十字交叉 p-n 结的构筑 | 第105-106页 |
| ·ZnSe 纳米线-Si 衬底 p-n 结的结果与讨论 | 第106-117页 |
| ·纳米线的表征分析 | 第106-108页 |
| ·氮掺杂 ZnSe 纳米线的电学性能研究分析 | 第108-111页 |
| ·p-型 ZnSe 纳米线与 n-型 Si 构筑的异质结研究与应用 | 第111-117页 |
| ·ZnSe 纳米带-Si 纳米线十字交叉 p-n 结的结果与讨论 | 第117-125页 |
| ·电学性能及光电特性 | 第117-119页 |
| ·开尔文探针力显微镜分析 | 第119-121页 |
| ·与温度相关的光电性能分析 | 第121-125页 |
| ·本章结论 | 第125-126页 |
| 本章参考文献 | 第126-130页 |
| 第五章 大开路电压的 ZnSe 纳米线/CdS 异质结太阳能电池的构筑和性能研究 | 第130-153页 |
| ·前言 | 第130-132页 |
| ·实验 | 第132-133页 |
| ·药品和实验设备 | 第132页 |
| ·ZnSe 纳米线的合成 | 第132页 |
| ·ZnSe 纳米线-CdS 薄膜异质结的制备 | 第132-133页 |
| ·ZnSe-CdS 纳米线核壳结构异质结的制备 | 第133页 |
| ·ZnSe 纳米线-CdS 薄膜异质结部分的结果与讨论 | 第133-144页 |
| ·器件的表征分析 | 第133-137页 |
| ·器件的光伏性能分析 | 第137-144页 |
| ·ZnSe-CdS 纳米线核壳结构异质结的结果与讨论 | 第144-148页 |
| ·ZnSe-CdS 纳米线核壳结构异质结的表征分析 | 第144-147页 |
| ·ZnSe-CdS 纳米线核壳结构异质结光伏性能分析 | 第147-148页 |
| ·本章结论 | 第148-149页 |
| 本章参考文献 | 第149-153页 |
| 第六章 全文总结与展望 | 第153-156页 |
| 攻读博士学位期间本人发表的论文和专利 | 第156-158页 |
| 致谢 | 第158-160页 |
