4H-SiC辐照损伤分子动力学模拟初步研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-19页 |
| ·研究背景与意义 | 第9-11页 |
| ·SiC 的基本性质及辐照损伤研究现状 | 第11-17页 |
| ·4H-SiC 结构及性质 | 第12-14页 |
| ·SiC 辐照国内外研究现状 | 第14-17页 |
| ·论文的选题依据及研究内容 | 第17-19页 |
| 第2章 分子动力学模拟方法 | 第19-37页 |
| ·分子动力学模拟方法 | 第19-32页 |
| ·分子动力学模拟方法基本原理 | 第19-22页 |
| ·分子动力学模拟积分算法 | 第22-26页 |
| ·分子动力学模拟的原子势函数 | 第26-29页 |
| ·分子动力学模拟的系综 | 第29-31页 |
| ·边界条件 | 第31-32页 |
| ·分子动力学模拟 LAMMPS 软件简介 | 第32-35页 |
| ·LAMMPS 软件介绍 | 第32-34页 |
| ·可视化软件 | 第34-35页 |
| ·本章小结 | 第35-37页 |
| 第3章 4H-SiC 辐照缺陷演变 | 第37-59页 |
| ·建立模型 | 第38页 |
| ·模型的能量最小化和弛豫阶段 | 第38-41页 |
| ·能量最小化 | 第39-40页 |
| ·弛豫过程 | 第40-41页 |
| ·分阶段设置时间步长 | 第41-42页 |
| ·4H-SiC 辐照损伤模拟 | 第42-46页 |
| ·点缺陷识别方法 | 第42页 |
| ·计算结果和讨论 | 第42-46页 |
| ·级联碰撞影响因素 | 第46-56页 |
| ·时间步长 | 第46-47页 |
| ·辐照温度 | 第47-52页 |
| ·PKA 入射能量 | 第52-55页 |
| ·PKA 入射方向 | 第55-56页 |
| ·本章小结 | 第56-59页 |
| 第4章 4H-SiC 辐照力学性能模拟 | 第59-73页 |
| ·单晶力学性能变化 | 第59-71页 |
| ·X 轴单轴拉伸模拟 | 第60-65页 |
| ·Z 轴单轴拉伸模拟 | 第65-69页 |
| ·X 轴与 Z 轴拉伸比较 | 第69-71页 |
| ·本章小结 | 第71-73页 |
| 结论 | 第73-75页 |
| 参考文献 | 第75-86页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文和取得的科研成果 | 第86-87页 |
| 致谢 | 第87页 |
