| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-19页 |
| ·微机电系统概述 | 第9-10页 |
| ·微纳尺度接触力学的研究意义 | 第10-13页 |
| ·微纳尺度接触力学的研究现状 | 第13-15页 |
| ·国外研究现状 | 第13-14页 |
| ·国内研究现状 | 第14-15页 |
| ·本课题的主要研究方法和手段 | 第15-17页 |
| ·本文主要研究内容 | 第17-19页 |
| 第二章 微纳尺度接触力学理论 | 第19-31页 |
| ·接触力学理论 | 第19-23页 |
| ·赫兹接触理论 | 第19-21页 |
| ·Bradley黏附模型 | 第21页 |
| ·Hamaker假设黏附模型 | 第21-22页 |
| ·JKR接触模型 | 第22页 |
| ·DMT接触模型 | 第22页 |
| ·Tabor数 | 第22-23页 |
| ·微纳尺度接触过程力学特性的理论计算 | 第23-24页 |
| ·微纳尺度滑动接触过程力学特性的理论计算 | 第24-25页 |
| ·探针顶端曲率半径对实验结果的影响 | 第25-27页 |
| ·晶向指数和晶面指数 | 第27-30页 |
| ·晶向和晶面 | 第27-28页 |
| ·晶向指数和晶面指数的确定 | 第28-30页 |
| ·本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 不同晶向单晶硅接触力学行为实验 | 第31-45页 |
| ·引言 | 第31页 |
| ·<001>晶向单晶硅接触力学行为实验 | 第31-36页 |
| ·不同载荷条件的接触过程实验 | 第31-33页 |
| ·不同接触深度条件的接触过程实验 | 第33-36页 |
| ·<100>,<110>,<111>晶向单晶硅接触力学行为实验 | 第36-44页 |
| ·接触深度30nm条件下的接触过程实验 | 第36-37页 |
| ·接触深度70nm条件下的接触过程实验 | 第37-38页 |
| ·接触深度100nm条件下的接触过程实验 | 第38-39页 |
| ·接触深度500nm条件下的接触过程实验 | 第39-40页 |
| ·接触深度1000nm条件下的接触过程实验 | 第40-42页 |
| ·接触深度2000nm条件下的接触过程实验 | 第42-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 第四章 不同晶向单晶硅接触滑动力学行为实验 | 第45-53页 |
| ·引言 | 第45页 |
| ·5mN载荷条件下三种晶向单晶硅接触滑动实验 | 第45-49页 |
| ·50mN载荷条件下三种晶向单晶硅接触滑动实验 | 第49-51页 |
| ·本章小结 | 第51-53页 |
| 第五章 不同晶向单晶铜接触力学行为实验 | 第53-61页 |
| ·引言 | 第53页 |
| ·<100>,<110>,<111>晶向单晶铜接触力学行为实验 | 第53-59页 |
| ·接触深度100nm条件下的接触过程实验 | 第53-54页 |
| ·接触深度500nm条件下的接触过程实验 | 第54-55页 |
| ·接触深度1000nm条件下的接触过程实验 | 第55-57页 |
| ·接触深度2000nm条件下的接触过程实验 | 第57-58页 |
| ·三种晶向单晶铜纳米压痕仪压痕图片 | 第58-59页 |
| ·本章小结 | 第59-61页 |
| 第六章 不同晶向单晶铜接触滑动力学行为实验 | 第61-71页 |
| ·引言 | 第61页 |
| ·500μN载荷条件下三种晶向单晶铜接触滑动实验 | 第61-65页 |
| ·5mN载荷条件下三种晶向单晶铜接触滑动实验 | 第65-67页 |
| ·50mN载荷条件下三种晶向单晶铜接触滑动实验 | 第67-69页 |
| ·本章小结 | 第69-71页 |
| 第七章 全文总结与工作展望 | 第71-73页 |
| ·全文主要工作总结 | 第71-72页 |
| ·后续工作研究建议与展望 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73-75页 |
| 参考文献 | 第75-79页 |
| 附录A：实验仪器及实验过程附图 | 第79-81页 |
| 附录B：本人在攻读硕士学位期间的科研情况 | 第81页 |