| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-35页 |
| ·引言 | 第11-13页 |
| ·CIS 系薄膜太阳能电池概述 | 第13-16页 |
| ·CuInSe_2材料简介 | 第13-14页 |
| ·S 和 Ga 的掺入对 CuInSe_2吸收层影响 | 第14-15页 |
| ·CuInSe_2系太阳能电池的典型结构 | 第15页 |
| ·CuInSe2系太阳能电池的优势 | 第15-16页 |
| ·CuInSe_2系薄膜太阳能电池的发展历史 | 第16-17页 |
| ·CuInSe_2系薄膜的制备方法 | 第17-20页 |
| ·蒸发法(Co-evaporation) | 第18页 |
| ·溅射法(Sputtering) | 第18-19页 |
| ·丝网印刷及旋涂法(Screenprinting & Spincoating) | 第19页 |
| ·电化学沉积法(Electro-deposition) | 第19-20页 |
| ·电沉积 CIS 系薄膜的研究进展 | 第20-22页 |
| ·直流恒电位电沉积 CIS 系薄膜的研究进展 | 第20页 |
| ·脉冲电沉积 CIS 系薄膜的研究进展 | 第20-22页 |
| ·影响脉冲电沉积 CuInSe_2薄膜的实验条件 | 第22-27页 |
| ·目前存在的主要问题 | 第27页 |
| ·本论文研究的目的、思路及主要内容 | 第27-29页 |
| ·论文的研究目的和思路 | 第27-28页 |
| ·论文研究的主要内容 | 第28-29页 |
| 参考文献 | 第29-35页 |
| 第二章 恒电流脉冲电沉积制备 CuInSe_2薄膜 | 第35-53页 |
| ·序言 | 第35-36页 |
| ·实验部分 | 第36-37页 |
| ·试剂和仪器 | 第36页 |
| ·基底的处理 | 第36页 |
| ·薄膜的制备及其表征 | 第36-37页 |
| ·结果与讨论 | 第37-49页 |
| ·脉冲恒电流模式制备 CuInSe_2薄膜的优势 | 第37-38页 |
| ·沉积电流对 CuInSe_2薄膜的影响 | 第38-44页 |
| ·占空比对 CuInSe_2薄膜形貌的影响 | 第44-45页 |
| ·脉冲频率对 CuInSe_2薄膜的影响 | 第45-48页 |
| ·Cu-Se 相对 CIS 薄膜吸收特性和光生电子、空穴分离特性的影响 | 第48-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-53页 |
| 第三章 CuInSe_2薄膜的生长过程及电沉积机制的研究 | 第53-67页 |
| ·引言 | 第53-54页 |
| ·实验 | 第54-55页 |
| ·试剂和仪器 | 第54页 |
| ·薄膜的制备及其表征 | 第54页 |
| ·实验现象 | 第54-55页 |
| ·结果和讨论 | 第55-63页 |
| ·CuInSe_2薄膜的生长机理 | 第55-60页 |
| ·[Se~(4+)]/[Cu~(2+)]对 CuInSe_2薄膜生长的影响 | 第60-62页 |
| ·CuInSe_2电沉积机制的研究 | 第62-63页 |
| ·本章小结 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-67页 |
| 第四章 脉冲电沉积制备梯度组分的 CuIn(Se,S)_2薄膜 | 第67-81页 |
| ·序言 | 第67-68页 |
| ·实验部分 | 第68页 |
| ·结果与讨论 | 第68-77页 |
| ·硫化温度对 CISS 薄膜的影响 | 第68-73页 |
| ·Cu/In 比例对 CuIn(Se_(1-x)S_x)_2吸收层的影响 | 第73-75页 |
| ·S 原子的梯度分布对 CuIn(Se,S)_2光吸收的影响 | 第75-77页 |
| ·本章小结 | 第77-78页 |
| 参考文献 | 第78-81页 |
| 硕士期间完成的论文与工作 | 第81-83页 |
| 致谢 | 第83-84页 |
