| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-25页 |
| ·M 型钡铁氧体（结构） | 第10-12页 |
| ·BaM 铁氧体晶体结构 | 第10页 |
| ·BaM 铁氧体绝对零度时理论饱和磁化强度计算 | 第10-12页 |
| ·特点优势 | 第12-13页 |
| ·应用背景及研究意义 | 第13-15页 |
| ·制备技术 | 第15-19页 |
| ·研究现状 | 第19-24页 |
| ·制备工艺现状 | 第19-21页 |
| ·基底及缓冲层研究现状 | 第21-22页 |
| ·掺杂取代研究 | 第22-24页 |
| ·论文主要内容及结构安排 | 第24-25页 |
| 第二章 磁控溅射法制备 M 型钡铁氧体薄膜 | 第25-42页 |
| ·M 型钡铁氧体薄膜制备及性能表征 | 第25页 |
| ·溅射气压对 BaM 薄膜性能的影响 | 第25-28页 |
| ·溅射功率对 BaM 薄膜性能的影响 | 第28-33页 |
| ·薄膜样品制备 | 第28-29页 |
| ·结果与讨论 | 第29-32页 |
| ·本节结论 | 第32-33页 |
| ·退火温度对 BaM 膜性能的影响 | 第33-36页 |
| ·基底温度对 BaM 薄膜性能的影响 | 第36-41页 |
| ·薄膜制备与测试 | 第36-37页 |
| ·结果及讨论 | 第37-40页 |
| ·本节结论 | 第40-41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 第三章 薄膜厚度对 BaM 薄膜性能的影响 | 第42-52页 |
| ·薄膜制备与测试 | 第42页 |
| ·结果及讨论 | 第42-50页 |
| ·薄膜厚度对 BaM 薄膜取向生长的影响 | 第42-43页 |
| ·薄膜厚度对 BaM 薄膜磁性能的影响 | 第43-50页 |
| ·本章小结 | 第50-52页 |
| 第四章 不同基底及缓冲层对 BaM 薄膜取向生长的影响 | 第52-66页 |
| ·薄膜制备与测试 | 第52-53页 |
| ·结果及讨论 | 第53-65页 |
| ·不同基底类型对 BaM 薄膜取向生长及磁性能的影响 | 第53-56页 |
| ·不同缓冲层对 BaM 薄膜取向生长及其磁性能的影响 | 第56-60页 |
| ·基底温度对 BaM 薄膜取向生长的影响 | 第60-65页 |
| ·本章小结 | 第65-66页 |
| 第五章 结论 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-73页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第73-74页 |
