固体材料中正电子自洽与非自洽场理论计算
| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-42页 |
| ·正电子研究简史 | 第13-15页 |
| ·正电子在固体材料中行为简介 | 第15-25页 |
| ·正电子超热化过程 | 第16-17页 |
| ·正电子热化过程 | 第17-19页 |
| ·正电子扩散过程 | 第19页 |
| ·正电子捕获过程 | 第19-21页 |
| ·正电子湮没过程 | 第21-25页 |
| ·正电子三种基本实验技术 | 第25-39页 |
| ·正电子放射源 | 第26-27页 |
| ·正电子寿命实验技术 | 第27-31页 |
| ·正电子多普勒实验技术 | 第31-36页 |
| ·正电子慢束实验技术 | 第36-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 参考文献 | 第40-42页 |
| 第二章 正电子超热化与热化动力学过程计算 | 第42-75页 |
| ·价电子平均束缚能 | 第43-50页 |
| ·铝价电子平均束缚能 | 第45-46页 |
| ·硅价电子平均束缚能 | 第46-47页 |
| ·铁价电子平均束缚能 | 第47页 |
| ·铜价电子平均束缚能 | 第47-48页 |
| ·C_2H_8O_2与VO_2价电子平均束缚能 | 第48-50页 |
| ·正电子超热化过程 | 第50-63页 |
| ·弹性散射 | 第50-52页 |
| ·非弹性散射 | 第52-54页 |
| ·正电子注入轮廓与注入深度 | 第54-56页 |
| ·铝和硅单晶中正电子超热化模拟结果 | 第56-63页 |
| ·正电子热化过程 | 第63-71页 |
| ·正电子热化理论 | 第63-67页 |
| ·单晶铝与硅热化过程计算结果 | 第67-71页 |
| ·本章小结 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-75页 |
| 第三章 正电子能带与寿命计算 | 第75-103页 |
| ·正电子能带计算 | 第75-84页 |
| ·正电子能带计算理论基础 | 第75-78页 |
| ·单晶Si与AlN中的正电子能带 | 第78-84页 |
| ·正电子寿命计算 | 第84-99页 |
| ·正电子寿命计算理论基础 | 第84-87页 |
| ·正电子寿命理论与实验结果 | 第87-99页 |
| ·本章小结 | 第99-100页 |
| 参考文献 | 第100-103页 |
| 第四章 正电子角关联计算 | 第103-128页 |
| ·正电子多普勒展宽理论框架 | 第103-106页 |
| ·正电子与电子波函数计算 | 第106-115页 |
| ·正电子波函数 | 第106-108页 |
| ·电子波函数 | 第108-115页 |
| ·铝和硅中正电子湮没多普勒展宽谱 | 第115-124页 |
| ·单晶Al多普勒展宽谱计算结果 | 第116-121页 |
| ·单晶Si多普勒展宽理论与实验结果 | 第121-124页 |
| ·本章小结 | 第124-125页 |
| 参考文献 | 第125-128页 |
| 第五章 电荷态缺陷形成能计算 | 第128-150页 |
| ·晶体缺陷简介 | 第128-130页 |
| ·缺陷形成能理论基础 | 第130-137页 |
| ·超胞和特殊k点的选取 | 第131-133页 |
| ·带隙修正与虚电荷修正 | 第133-137页 |
| ·硅和氮化铝中的计算结果 | 第137-147页 |
| ·硅单空位缺陷形成能理论与实验结果 | 第137-141页 |
| ·氮化铝电荷态缺陷形成能计算结果 | 第141-147页 |
| ·本章小结 | 第147-148页 |
| 参考文献 | 第148-150页 |
| 第六章 总结与展望 | 第150-153页 |
| ·总结 | 第150-151页 |
| ·展望 | 第151-153页 |
| 附录Ⅰ：文章中计算所用的常数 | 第153-154页 |
| 附录Ⅱ：直角坐标系与球坐标系基本物理量转换关系 | 第154-155页 |
| 致谢 | 第155-156页 |
| 在读期间已发表的学术论文 | 第156页 |
