新型穿通增强型硅光电晶体管的研究与设计
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-16页 |
| ·论文的研究背景与意义 | 第11-13页 |
| ·光电信息技术简介 | 第11页 |
| ·光电检测技术及其特点 | 第11-12页 |
| ·光电检测技术的发展趋势 | 第12-13页 |
| ·光电检测技术在当今社会各行各业的具体应用 | 第13-14页 |
| ·在工业生产领域的应用 | 第13-14页 |
| ·在日常生活中的应用 | 第14页 |
| ·在军事上的应用 | 第14页 |
| ·在国防领域的应用 | 第14页 |
| ·论文的结构 | 第14-16页 |
| 第二章 基本光电理论与器件结构 | 第16-24页 |
| ·非平衡载流子 | 第16页 |
| ·光电导效应 | 第16-17页 |
| ·扩散理论 | 第17页 |
| ·穿通效应 | 第17-18页 |
| ·常用光电探测器种类 | 第18-24页 |
| ·p-i-n 光电二极管 | 第18-19页 |
| ·雪崩光电二极管 | 第19-21页 |
| ·光电晶体管 | 第21-24页 |
| 第三章 穿通效应的利用和光电器件的特性参数 | 第24-29页 |
| ·利用穿通效应的两种器件结构 | 第24-26页 |
| ·穿通基区硅光电晶体管 | 第24-25页 |
| ·穿通效应增强型硅光电晶体管 | 第25-26页 |
| ·光电器件的主要特性参数 | 第26-29页 |
| ·暗电流 | 第26页 |
| ·光生电流 | 第26页 |
| ·光电响应率 | 第26-27页 |
| ·光谱响应率 | 第27页 |
| ·光电转换增益 | 第27-28页 |
| ·响应时间 | 第28-29页 |
| 第四章 新型穿通增强型硅光电晶体管 | 第29-38页 |
| ·新型穿通增强型硅光电晶体管 | 第29-30页 |
| ·能带分析 | 第30-31页 |
| ·工作特性分析 | 第31-38页 |
| ·半导体漂移-扩散理论 | 第32-34页 |
| ·基区电势分析 | 第34页 |
| ·暗电流特性分析 | 第34页 |
| ·光生电流分析 | 第34-35页 |
| ·光电转换增益分析 | 第35页 |
| ·噪声分析 | 第35-38页 |
| 第五章 仿真结果与分析 | 第38-56页 |
| ·仿真软件介绍 | 第38页 |
| ·电势仿真结果 | 第38-41页 |
| ·器件内部空穴浓度的三维仿真结果 | 第41-44页 |
| ·器件的结构参数对电学性能影响的仿真结果 | 第44-55页 |
| ·窄基区宽度对暗电流影响的仿真结果 | 第47-49页 |
| ·窄基区宽度对光生电流影响的仿真结果 | 第49-50页 |
| ·窄基区宽度对光电响应率影响的仿真结果 | 第50-52页 |
| ·光谱响应率的仿真结果 | 第52-53页 |
| ·光强对光电流影响的仿真结果 | 第53-54页 |
| ·瞬态光响应的仿真结果 | 第54-55页 |
| ·仿真结果分析 | 第55-56页 |
| 第六章 总结 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-59页 |
| 作者简介及科研成果 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60页 |
