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磁场作用下椭圆量子环中施主杂质及椭圆量子盘中电子的能态研究

摘要第1-5页
Abstract第5-6页
目录第6-7页
1 绪论第7-15页
   ·半导体材料与器件第7-11页
     ·半导体硅材料第7-8页
     ·宽禁带半导体电子器件第8-9页
     ·低维纳米半导体材料和器件第9-11页
   ·低维纳米半导体的发展趋势及应用第11-13页
     ·量子点激光器第11-12页
     ·量子点红外探测器第12页
     ·量子点存储第12-13页
     ·量子点超辐射发光器件第13页
   ·本文研究背景第13-15页
2 理论框架第15-23页
   ·椭圆量子环中施主杂质的理论模型第15-17页
   ·椭圆量子盘中单电子的理论模型第17-23页
     ·利用求解特殊函数方法计算能态的解析解第17-20页
     ·利用数值对角化方法计算能态的近似解第20-23页
3 结果与讨论第23-39页
   ·椭圆量子环中施主杂质的结果第23-29页
   ·椭圆量子盘中单电子的结果第29-39页
4 结论第39-40页
参考文献第40-45页
致谢第45-46页
攻读硕士学位期间取得的科研成果清单第46页

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