| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-30页 |
| ·纳米材料概述 | 第11-12页 |
| ·半导体纳米材料的特性 | 第12-14页 |
| ·量子尺寸效应 | 第12-13页 |
| ·表面效应 | 第13-14页 |
| ·宏观量子隧道效应 | 第14页 |
| ·介电限域效应 | 第14页 |
| ·半导体纳米材料的制备方法 | 第14-22页 |
| ·金属有机化学法 | 第14-15页 |
| ·水热/溶剂热合成法 | 第15-16页 |
| ·沉淀法 | 第16页 |
| ·溶胶-凝胶法 | 第16-17页 |
| ·(反相)微乳液法 | 第17-18页 |
| ·模板法 | 第18页 |
| ·单相法和两相法 | 第18-22页 |
| ·半导体纳米材料的表征 | 第22-26页 |
| ·成分分析 | 第22-23页 |
| ·结构和形态分析 | 第23-25页 |
| ·性质分析 | 第25-26页 |
| ·半导体纳米材料的应用 | 第26-28页 |
| ·作为光催化剂 | 第26-27页 |
| ·作为发光材料 | 第27页 |
| ·生物标记中的应用 | 第27-28页 |
| ·论文的研究内容和意义 | 第28-30页 |
| 第二章 水相中合成CdS(CdSe)纳米粒子 | 第30-46页 |
| ·药品与仪器 | 第30-31页 |
| ·实验药品 | 第30-31页 |
| ·实验仪器 | 第31页 |
| ·测试仪器 | 第31页 |
| ·实验内容 | 第31-33页 |
| ·CdS纳米粒子的制备 | 第31-32页 |
| ·CdSe纳米粒子的制备 | 第32-33页 |
| ·结果与讨论 | 第33-44页 |
| ·合成条件对CdS纳米粒子UV-vis光谱的影响 | 第33-35页 |
| ·CdS纳米粒子的PL光谱 | 第35-36页 |
| ·CdS纳米粒子的红外光谱(FTIR)分析 | 第36-38页 |
| ·CdS纳米粒子的透射电镜(TEM)分析 | 第38-39页 |
| ·反应条件对CdSe纳米粒子光谱的影响 | 第39-43页 |
| ·CdSe纳米粒子的X射线衍射(XRD)分析 | 第43页 |
| ·CdSe纳米粒子的透射电镜(TEM)分析 | 第43-44页 |
| ·本章小结 | 第44-46页 |
| 第三章 两相法合成半导体纳米粒子 | 第46-65页 |
| ·药品与仪器 | 第46-47页 |
| ·本章所用药品 | 第46-47页 |
| ·实验仪器 | 第47页 |
| ·测试仪器 | 第47页 |
| ·实验部分 | 第47-50页 |
| ·CdS纳米粒子的制备 | 第47-48页 |
| ·CdSe纳米粒子的制备 | 第48-49页 |
| ·两相法合成硫化锰纳米粒子 | 第49页 |
| ·两相法合成Ag_2S纳米粒子 | 第49-50页 |
| ·结果与讨论 | 第50-63页 |
| ·不同反应条件合成的CdS纳米粒子UV-vis和PL光谱分析 | 第50-54页 |
| ·CdS纳米粒子的XRD分析 | 第54-55页 |
| ·CdS纳米粒子的透射电镜(TEM)分析 | 第55-56页 |
| ·合成条件对CdSe纳米粒子UV-vis和PL光谱的影响 | 第56-59页 |
| ·CdSe纳米粒子的XRD分析 | 第59-60页 |
| ·CdSe纳米粒子的TEM分析 | 第60页 |
| ·硫化锰纳米粒子的紫外-可见吸收光谱分析 | 第60-61页 |
| ·硫化锰纳米粒子的TEM分析 | 第61页 |
| ·Ag_2S纳米粒子的UV-vis谱图和XRD分析 | 第61-63页 |
| ·Ag_2S纳米粒子的TEM分析 | 第63页 |
| ·本章小结 | 第63-65页 |
| 第四章 乙醇相中合成CdS(CdSe)纳米粒子 | 第65-78页 |
| ·药品与仪器 | 第65-66页 |
| ·实验药品 | 第65页 |
| ·实验仪器 | 第65-66页 |
| ·测试仪器 | 第66页 |
| ·实验部分 | 第66-67页 |
| ·CdS纳米粒子的制备 | 第66-67页 |
| ·CdSe纳米粒子的制备 | 第67页 |
| ·结果与讨论 | 第67-76页 |
| ·合成条件对CdS纳米粒子光谱的影响 | 第67-73页 |
| ·CdS纳米粒子的XRD分析 | 第73-74页 |
| ·CdS纳米粒子的TEM分析 | 第74页 |
| ·CdSe纳米粒子UV-vis光谱分析 | 第74-75页 |
| ·CdSe纳米粒子XRD分析 | 第75-76页 |
| ·CdSe纳米粒子TEM分析 | 第76页 |
| ·本章小结 | 第76-78页 |
| 第五章 结论 | 第78-79页 |
| 参考文献 | 第79-83页 |
| 在学研究成果 | 第83-84页 |
| 致谢 | 第84页 |
