电负性与半导体材料带隙研究

摘要	第1-5页
Abstract	第5-9页
引言	第9-10页
1 文献综述	第10-28页
·半导体材料简介	第10-15页
·半导体的基本概念	第10页
·半导体材料的分类	第10-12页
·半导体材料的性质	第12-15页
·电负性的研究进展	第15-23页
·原子电负性标度	第15-18页
·电负性概念的拓展	第18-20页
·电负性与材料设计	第20-23页
·带隙的理论研究	第23-27页
·离子模型	第24-25页
·经验方法	第25-27页
·本文的选题思想、研究内容及意义	第27-28页
·选题思想	第27页
·研究内容及其意义	第27-28页
2 电负性-带隙理论模型	第28-39页
·引言	第28-29页
·模型的建立	第29-32页
·A~NB~(8-N)型晶体	第29-32页
·ABC_2型三元黄铜矿晶体	第32页
·结果与讨论	第32-38页
·本章小结	第38-39页
3 掺杂合金半导体带隙的计算	第39-45页
·引言	第39页
·计算方法	第39-40页
·结果与讨论	第40-44页
·掺杂过程无结构变化的合金的带隙计算	第40页
·掺杂过程有结构变化的合金的带隙计算	第40-44页
·本章小结	第44-45页
结论	第45-46页
参考文献	第46-51页
攻读硕士学位期间发表学术论文情况	第51-52页
致谢	第52-53页