| 摘要 | 第1-8页 |
| ABSTRACT | 第8-13页 |
| 目录 | 第13-16页 |
| Contents | 第16-20页 |
| 第一章 绪论 | 第20-44页 |
| ·引言 | 第20-21页 |
| ·纳米材料的特性 | 第21-22页 |
| ·一维、准一维纳米材料的研究进展 | 第22-32页 |
| ·一维、准一维纳米材料的种类 | 第23-25页 |
| ·一维、准一维纳米材料的制备方法 | 第25-32页 |
| ·阳极氧化铝简介 | 第32-35页 |
| ·人工神经网络简介 | 第35-40页 |
| ·人工神经网络模型 | 第36-37页 |
| ·人工神经网络的工作过程 | 第37-38页 |
| ·人工神经网络的特性 | 第38-40页 |
| ·本文选题依据、主要研究内容及成果 | 第40-44页 |
| ·选题依据 | 第40-42页 |
| ·本文的主要研究内容 | 第42-43页 |
| ·本文的主要创新研究成果 | 第43-44页 |
| 第二章 多孔阳极氧化铝模板的制备和表征 | 第44-65页 |
| ·引言 | 第44-45页 |
| ·实验部分 | 第45-51页 |
| ·实验装置 | 第45-46页 |
| ·工艺流程 | 第46-51页 |
| ·多孔阳极氧化铝模板的表征 | 第51-58页 |
| ·多孔阳极氧化铝有序阵列模板的外观 | 第51页 |
| ·阳极氧化铝薄膜纳米孔阵列形貌表征 | 第51-58页 |
| ·氧化条件对多孔阳极氧化铝模板的影响 | 第58-64页 |
| ·铝片的纯度对多孔阳极氧化铝模板制备的影响 | 第58-59页 |
| ·电解液种类对多孔阳极氧化铝模板制备的影响 | 第59-60页 |
| ·氧化电压对多孔阳极氧化铝模板制备的影响 | 第60-64页 |
| ·氧化温度对多孔阳极氧化铝模板制备的影响 | 第64页 |
| ·本章小结 | 第64-65页 |
| 第三章 阳极氧化铝多孔模板孔规整度的BPANN预测 | 第65-81页 |
| ·引言 | 第65-66页 |
| ·BP神经网络算法的基本原理 | 第66-73页 |
| ·BP神经网络算法概述 | 第66-67页 |
| ·BP神经网络的学习算法和训练过程 | 第67-72页 |
| ·BP网络学习训练流程 | 第72-73页 |
| ·基于 BP神经网络的阳极氧化铝多孔模板规整度的预测 | 第73-77页 |
| ·利用 BP神经网络进行氧化铝多孔模板柜争度预测的基本思路 | 第73-74页 |
| ·氧化膜模拟样本数据的确定 | 第74-76页 |
| ·模拟样本原始数据的归一化处理 | 第76-77页 |
| ·隐含层数和隐含层节点数的选取 | 第77页 |
| ·BPANN对样本数据的学习训练 | 第77-79页 |
| ·初始权值的选取 | 第77-78页 |
| ·训练算法的选择 | 第78页 |
| ·训练参数的选取 | 第78-79页 |
| ·BPANN对选择样本的预测 | 第79-80页 |
| ·本章小结 | 第80-81页 |
| 第四章 基于多孔氧化铝模板的低维氧化铝纳米材料的制备 | 第81-93页 |
| ·引言 | 第81页 |
| ·实验部分 | 第81-82页 |
| ·多孔阳极氧化铝模板的制备 | 第81-82页 |
| ·氧化铝纳米结构的制备 | 第82页 |
| ·氧化铝纳米材料的表征 | 第82-89页 |
| ·由多孔阳极氧化铝模板制备的氧化铝纳米线 | 第82-84页 |
| ·由阳极氧化铝模板制备氧化铝纳米管或半管状氧化铝纳米带 | 第84-86页 |
| ·由阳极氧化铝模板制备站立在母体氧化铝模板上的氧化铝纳米结构 | 第86-89页 |
| ·基于多孔阳极氧化铝模板的低维氧化铝纳米材料的形成机理 | 第89-91页 |
| ·本章小结 | 第91-93页 |
| 第五章 氧化铝多孔模板上化学气相沉积翅片状 SiC纳米线 | 第93-109页 |
| ·引言 | 第93-96页 |
| ·主要实验设备及仪器 | 第96-97页 |
| ·原料、合成工艺及分析方法 | 第97-100页 |
| ·原材料及球磨处理 | 第97-98页 |
| ·多孔氧化铝模板的准备 | 第98-99页 |
| ·翅片状 SiC纳米线的合成工艺 | 第99页 |
| ·分析方法 | 第99-100页 |
| ·实验结果及分析 | 第100-105页 |
| ·合成工艺参数确定 | 第100-101页 |
| ·带翅片的β-SiC纳米线的形貌分析 | 第101-103页 |
| ·带翅片的β-SiC纳米线的化学组成 | 第103页 |
| ·翅片状β-SiC纳米线的微观结构分析 | 第103-105页 |
| ·翅片状β-SiC纳米线生长机理的讨论 | 第105-107页 |
| ·本章小结 | 第107-109页 |
| 第六章 SiC纳米棒和非晶SiO_2包覆 SiC纳米链的合成 | 第109-120页 |
| ·前言 | 第109-110页 |
| ·β-SiC纳米棒的合成及表征 | 第110-114页 |
| ·试验方法 | 第110-111页 |
| ·试样表征及结果分析 | 第111-113页 |
| ·SiC纳米棒的形成机理讨论 | 第113-114页 |
| ·SiO_2包覆的SiC纳米链的合成 | 第114-118页 |
| ·试验方法 | 第114-115页 |
| ·试样表征及结果分析 | 第115-117页 |
| ·带非晶SiO_2包覆的SiC纳米链形成机理讨论 | 第117-118页 |
| ·本章小结 | 第118-120页 |
| 第七章 结论 | 第120-122页 |
| 参考文献 | 第122-138页 |
| 致谢 | 第138-139页 |
| 研究成果及发表的学术论文 | 第139-141页 |
| 作者和导师简介 | 第141-142页 |
| 博士研究生学位论文答辩委员会决议书 | 第142-143页 |
