中文摘要 | 第1-4页 |
英文摘要 | 第4-8页 |
1 绪论 | 第8-13页 |
·WO_3薄膜的结构特征 | 第8-9页 |
·薄膜的优点及特征 | 第8页 |
·WO_3 的晶格特性 | 第8-9页 |
·WO_3薄膜的基本性质 | 第9-10页 |
·WO_3 薄膜的应用前景 | 第10-12页 |
·本文研究的主要目的和内容 | 第12-13页 |
2 WO_3膜层的氢敏机理探讨 | 第13-22页 |
·引言 | 第13页 |
·氢敏机理模型 | 第13-19页 |
·能级模型 | 第13-14页 |
·色心模型 | 第14-15页 |
·价间跃迁理论 | 第15-19页 |
·小极化子模型 | 第19页 |
·WO_3薄膜的掺杂机理 | 第19-20页 |
·WO_3 薄膜的掺杂概述 | 第19-20页 |
·WO_3 薄膜最佳掺杂量的计算 | 第20页 |
·本章小结 | 第20-22页 |
3 WO_3薄膜的溶胶—凝胶法制备工艺与检测分析 | 第22-51页 |
·氧化物薄膜制备技术简介 | 第22-26页 |
·溶胶凝胶法 | 第22页 |
·喷雾裂解 | 第22-23页 |
·化学气相沉积 | 第23-24页 |
·脉冲激光沉积 | 第24-25页 |
·磁控溅射 | 第25-26页 |
·溶胶-凝胶法制备WO_3 薄膜 | 第26-32页 |
·溶胶—凝胶法技术的概述 | 第26页 |
·溶胶凝胶法制备WO_3 的几种方法 | 第26-27页 |
·WO_3 溶胶的制备 | 第27页 |
·基片的预处理 | 第27-28页 |
·溶胶成膜方法 | 第28-30页 |
·退火 | 第30-31页 |
·溶胶凝胶法制备WO_3 薄膜的正交试验设计 | 第31-32页 |
·WO_3 不薄膜的性能表征 | 第32-49页 |
·傅立叶红外光谱分析 | 第32-36页 |
·X 射线衍射分析 | 第36-39页 |
·扫描隧道显微镜(STM) | 第39-44页 |
·双光束紫外—可见分光光度计(UV-VIS) | 第44-48页 |
·台阶仪测定膜厚 | 第48-49页 |
·本章小结 | 第49-51页 |
4 WO_3薄膜的制备、表征与氢敏检测 | 第51-72页 |
·引言 | 第51页 |
·磁控溅射技术的概述 | 第51-55页 |
·溅射原理 | 第51-53页 |
·溅射法镀膜类型 | 第53页 |
·直流磁控溅射原理 | 第53-55页 |
·直流磁控溅射系统 | 第55页 |
·WO_3 掺杂薄膜的制备 | 第55-58页 |
·直流磁控溅射工艺流程 | 第55-57页 |
·制备WO_3 掺杂薄膜的正交试验设计 | 第57-58页 |
·WO_3 掺杂薄膜的性能表征 | 第58-63页 |
·X-衍射分析 | 第58-59页 |
·扫描隧道显微镜分析 | 第59-62页 |
·紫外-可见分光光度计分析 | 第62-63页 |
·WO_3 掺杂薄膜的氢敏性能检测 | 第63-69页 |
·氢敏性能检测原理 | 第63页 |
·掺铂WO_3 在不同氢气浓度下紫外-可见透光率的变化 | 第63-67页 |
·掺铂、钯的WO_3 薄膜在同浓度氢气中紫外-可见光透光率的比较 | 第67-69页 |
·用 XPS 对 WO_3 掺 Pt 薄膜的氢敏机理进行分析 | 第69-70页 |
·本章小结 | 第70-72页 |
5 结论 | 第72-74页 |
致谢 | 第74-75页 |
参考文献 | 第75-79页 |
附 录 作者在攻读硕士学位期间发表的论文目录 | 第79页 |