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WO3薄膜的制备工艺与氢敏特性的研究

中文摘要第1-4页
英文摘要第4-8页
1 绪论第8-13页
   ·WO_3薄膜的结构特征第8-9页
     ·薄膜的优点及特征第8页
     ·WO_3 的晶格特性第8-9页
   ·WO_3薄膜的基本性质第9-10页
   ·WO_3 薄膜的应用前景第10-12页
   ·本文研究的主要目的和内容第12-13页
2 WO_3膜层的氢敏机理探讨第13-22页
   ·引言第13页
   ·氢敏机理模型第13-19页
     ·能级模型第13-14页
     ·色心模型第14-15页
     ·价间跃迁理论第15-19页
     ·小极化子模型第19页
   ·WO_3薄膜的掺杂机理第19-20页
     ·WO_3 薄膜的掺杂概述第19-20页
     ·WO_3 薄膜最佳掺杂量的计算第20页
   ·本章小结第20-22页
3 WO_3薄膜的溶胶—凝胶法制备工艺与检测分析第22-51页
   ·氧化物薄膜制备技术简介第22-26页
     ·溶胶凝胶法第22页
     ·喷雾裂解第22-23页
     ·化学气相沉积第23-24页
     ·脉冲激光沉积第24-25页
     ·磁控溅射第25-26页
   ·溶胶-凝胶法制备WO_3 薄膜第26-32页
     ·溶胶—凝胶法技术的概述第26页
     ·溶胶凝胶法制备WO_3 的几种方法第26-27页
     ·WO_3 溶胶的制备第27页
     ·基片的预处理第27-28页
     ·溶胶成膜方法第28-30页
     ·退火第30-31页
     ·溶胶凝胶法制备WO_3 薄膜的正交试验设计第31-32页
   ·WO_3 不薄膜的性能表征第32-49页
     ·傅立叶红外光谱分析第32-36页
     ·X 射线衍射分析第36-39页
     ·扫描隧道显微镜(STM)第39-44页
     ·双光束紫外—可见分光光度计(UV-VIS)第44-48页
     ·台阶仪测定膜厚第48-49页
   ·本章小结第49-51页
4 WO_3薄膜的制备、表征与氢敏检测第51-72页
   ·引言第51页
   ·磁控溅射技术的概述第51-55页
     ·溅射原理第51-53页
     ·溅射法镀膜类型第53页
     ·直流磁控溅射原理第53-55页
     ·直流磁控溅射系统第55页
   ·WO_3 掺杂薄膜的制备第55-58页
     ·直流磁控溅射工艺流程第55-57页
     ·制备WO_3 掺杂薄膜的正交试验设计第57-58页
   ·WO_3 掺杂薄膜的性能表征第58-63页
     ·X-衍射分析第58-59页
     ·扫描隧道显微镜分析第59-62页
     ·紫外-可见分光光度计分析第62-63页
   ·WO_3 掺杂薄膜的氢敏性能检测第63-69页
     ·氢敏性能检测原理第63页
     ·掺铂WO_3 在不同氢气浓度下紫外-可见透光率的变化第63-67页
     ·掺铂、钯的WO_3 薄膜在同浓度氢气中紫外-可见光透光率的比较第67-69页
   ·用 XPS 对 WO_3 掺 Pt 薄膜的氢敏机理进行分析第69-70页
   ·本章小结第70-72页
5 结论第72-74页
致谢第74-75页
参考文献第75-79页
 附 录 作者在攻读硕士学位期间发表的论文目录第79页

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