场发射阴极微小栅孔阵列的研制
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 第一章 前言 | 第10-18页 |
| ·场发射阴极研究的意义及发展历程 | 第10-13页 |
| ·场发射阴极的的应用 | 第13-16页 |
| ·场发射平板显示 | 第13-15页 |
| ·微波器件 | 第15页 |
| ·其它的应用方面 | 第15-16页 |
| ·本论文的主要工作内容和意义 | 第16-18页 |
| 第二章 场发射的基本理论 | 第18-27页 |
| ·场致发射基本原理 | 第18-21页 |
| ·表面势垒与电子发射 | 第18-19页 |
| ·金属场致发射公式的推导 | 第19-21页 |
| ·各种因素对场发射的影响 | 第21-25页 |
| ·温度对场发射的影响 | 第21页 |
| ·发射寿命 | 第21-22页 |
| ·场发射阴极阵列 | 第22-25页 |
| ·影响控制电压的因素 | 第25页 |
| ·半导体场致发射 | 第25-27页 |
| 第三章 常见的场发射阴极的类型及其制备工艺 | 第27-36页 |
| ·金属微尖阵列场发射阴极 | 第27-29页 |
| ·硅衬底场发射阴极阵列 | 第29-30页 |
| ·碳纳米管型场发射阴极 | 第30-32页 |
| ·弹道电子表面发射 | 第32-33页 |
| ·表面传导发射显示 | 第33-34页 |
| ·MIM 结构的场发射阴极 | 第34-36页 |
| 第四章 微小栅极孔径阴极模型的理论模拟 | 第36-54页 |
| ·FEA 物理模型的建立 | 第36-38页 |
| ·FEA 的结构优化 | 第36-38页 |
| ·数值计算模型的建立 | 第38-39页 |
| ·基本方程 | 第38-39页 |
| ·计算模型及边界条件 | 第39页 |
| ·静电场的数值模拟 | 第39-47页 |
| ·有限差分算法 | 第40-43页 |
| ·区域细化反复迭代的有限差分算法 | 第43-47页 |
| ·电子轨迹及发射电流的计算 | 第47-50页 |
| ·四阶龙格－库塔法求解电子运动轨迹 | 第48-49页 |
| ·场致发射器件发射电流及其分配 | 第49-50页 |
| ·用EBS 软件模拟微小栅极孔径阴极 | 第50-54页 |
| ·EBS 软件的介绍 | 第50页 |
| ·物理模型 | 第50-51页 |
| ·模拟方法 | 第51页 |
| ·模拟结果及讨论 | 第51-52页 |
| ·结论 | 第52-54页 |
| 第五章 微小栅极孔径的制作及结果讨论 | 第54-80页 |
| ·微小栅极孔径场发射阴极制作的工艺流程 | 第54-55页 |
| ·硅片的清洗 | 第55-58页 |
| ·RCA 清洗 | 第56-57页 |
| ·硅片的清洗工序 | 第57-58页 |
| ·氮化硅薄膜的制备 | 第58-62页 |
| ·氮化硅薄膜的主要制备方法 | 第58-60页 |
| ·氮化硅薄膜的制备 | 第60-62页 |
| ·氮化硅薄膜厚度的测量 | 第62页 |
| ·氮化硅薄膜的刻蚀 | 第62-65页 |
| ·氮化硅薄膜的湿法刻蚀 | 第63-64页 |
| ·氮化硅薄膜的干法刻蚀 | 第64-65页 |
| ·硅的局部氧化 | 第65-68页 |
| ·氮化硅的去除 | 第68-70页 |
| ·硅腔的刻蚀 | 第70-79页 |
| ·预氧层的漂洗对栅孔的影响 | 第70-74页 |
| ·硅腔的腐蚀 | 第74-79页 |
| ·结论 | 第79-80页 |
| 第六章 结束语 | 第80-82页 |
| ·本论文的主要工作及结论 | 第80-81页 |
| ·工作展望 | 第81-82页 |
| 致谢 | 第82-83页 |
| 参考文献 | 第83-86页 |
| 个人简历 | 第86页 |
| 硕士研究生期间发表的论文 | 第86-87页 |
