| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-19页 |
| ·太阳能电池发展状况 | 第9-13页 |
| ·太阳电池工作原理 | 第9页 |
| ·几种典型太阳能电池及结构 | 第9-11页 |
| ·当前国内、外太阳能电池发展现况及趋势 | 第11-13页 |
| ·太阳能电池窗口层研究意义 | 第13-17页 |
| ·窗口材料及其研究意义 | 第13-14页 |
| ·P 型窗口层太阳电池发展状况 | 第14-17页 |
| ·不同透明导电基板概述 | 第17页 |
| ·课题研究的意义和主要内容 | 第17-19页 |
| 第二章 实验材料、设备、工艺简介 | 第19-24页 |
| ·实验材料 | 第19页 |
| ·实验气体源 | 第19页 |
| ·实验衬底材料 | 第19页 |
| ·PECVD（等离子增强化学气相沉积） | 第19-24页 |
| ·PECVD 沉膜工作原理 | 第19-22页 |
| ·PECVD 沉膜流程 | 第22-24页 |
| 第三章 样品的制备与测试 | 第24-41页 |
| ·基片材料和实验气源的准备 | 第24-25页 |
| ·太阳能电池的制备 | 第25-33页 |
| ·窗口层μc-SiC:H 膜的沉积 | 第25-26页 |
| ·太阳能电池I/N 层的制备 | 第26-27页 |
| ·太阳能电池背电极的蒸镀 | 第27-29页 |
| ·太阳能电池的光刻 | 第29-31页 |
| ·太阳能电池样品的刻蚀 | 第31-33页 |
| ·样品的测试 | 第33-41页 |
| ·薄膜厚度测量 | 第33-34页 |
| ·薄膜透过率和光学带隙测量 | 第34-36页 |
| ·太阳电池性能测试 | 第36-41页 |
| 第四章 P 型μc-SiC:H 窗口层材料的研究 | 第41-60页 |
| ·不同基板对窗口层材料特性影响 | 第41-47页 |
| ·不同基板对窗口层光学特性影响 | 第41-43页 |
| ·同种工艺条件下，不同基板上P 型μc-SiC:H 光学带隙 | 第43-44页 |
| ·不同基板对薄膜晶化影响 | 第44-46页 |
| ·P 型 μc-SiC:H 窗口层厚度的测量 | 第46-47页 |
| ·FTO 导电玻璃上P 型μc-SiC:H 窗口层材料的研究 | 第47-52页 |
| ·气体温度对FTO 衬底上p 型μc-SiC:H 膜透过率的影响 | 第48页 |
| ·射频功率对FTO 衬底上P 型μc-SiC:H 薄膜透过率的影响 | 第48-49页 |
| ·不同气体流量比对FTO 基板上p 型μc-SiC:H 薄膜透光率影响 | 第49-50页 |
| ·FTO 基板上功率和气体流量比对P 型μc-SiC:H 光学带隙影响 | 第50-52页 |
| ·太阳能电池I 特性的研究 | 第52-56页 |
| ·太阳能电池性能的测试 | 第56-60页 |
| ·不同基板材料电池I-V 特性 | 第56-57页 |
| ·P 层厚度对太阳能电池短路电流密度的影响 | 第57页 |
| ·P 层厚度对太阳能电池开路电压的影响 | 第57-58页 |
| ·CH_4:SiH_4比对太阳能电池开路电压影响 | 第58-60页 |
| 第五章 结论 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-66页 |
| 工作期间成果 | 第66-67页 |
