中文摘要 | 第1-8页 |
Abstract | 第8-15页 |
第一章 绪论 | 第15-37页 |
·前言 | 第15页 |
·半导体光催化技术 | 第15-27页 |
·光催化背景 | 第15-18页 |
·半导体光催化技术的产生 | 第18-19页 |
·半导体光催化原理 | 第19-23页 |
·半导体光催化的主要影响因素 | 第23-27页 |
·半导体光催化的发展方向 | 第27页 |
·钛基可见光光催化剂研究进展 | 第27-31页 |
·离子掺杂 | 第28-29页 |
·无机半导体修饰 | 第29-30页 |
·染料光敏化 | 第30-31页 |
·含碳基团的表面修饰 | 第31页 |
·几种新型半导体光催化剂的研究进展 | 第31-33页 |
·铌基半导体 | 第32页 |
·铟基半导体 | 第32-33页 |
·本论文选题意义和研究内容 | 第33-37页 |
第二章 碳修饰Nb_2O_5纳米结构的低温制备及其可见光光催化性能研究 | 第37-50页 |
·前言 | 第37-38页 |
·实验部分 | 第38-40页 |
·主要试剂 | 第38页 |
·主要仪器 | 第38页 |
·样品的制备 | 第38-39页 |
·样品的表征 | 第39页 |
·光催化降解RhB实验 | 第39页 |
·光催化制氢气实验 | 第39-40页 |
·结果和讨论 | 第40-49页 |
·XRD表征 | 第40页 |
·SEM表征 | 第40-41页 |
·TEM表征 | 第41-42页 |
·生长机理研究 | 第42-43页 |
·XPS表征 | 第43页 |
·FI-IR图谱 | 第43-46页 |
·UV-Vis漫反射图谱 | 第46页 |
·N_2吸附-脱附图谱 | 第46-47页 |
·产物催化剂的光催化活性测试 | 第47-48页 |
·产物催化剂的光催化活性测试 | 第48-49页 |
·结论 | 第49-50页 |
第三章 碳,氮共掺杂InOOH微米球的合成,生长机理及其可见光光催化性能研究 | 第50-68页 |
·前言 | 第50-51页 |
·实验部分 | 第51-53页 |
·主要试剂 | 第51-52页 |
·主要仪器 | 第52页 |
·样品的制备 | 第52-53页 |
·样品的表征 | 第53页 |
·光催化降解RhB实验 | 第53页 |
·结果和讨论 | 第53-67页 |
·XRD表征 | 第53-55页 |
·XPS表征 | 第55页 |
·SEM和HRTEM表征 | 第55-57页 |
·C和N共掺杂InOOH微米球的形成过程 | 第57-61页 |
·样品的光学吸收性质 | 第61页 |
·样品的的BET比表面积 | 第61-63页 |
·样品的光催化性能研究 | 第63页 |
·光催化机理研究 | 第63-67页 |
·结论 | 第67-68页 |
第四章 In(OH)_xS_y空心纳米立方块的低温合成,生长机理及其可见光光催化性能研究 | 第68-91页 |
·前言 | 第68-70页 |
·实验部分 | 第70-73页 |
·主要试剂 | 第70页 |
·主要仪器 | 第70-71页 |
·样品的合成 | 第71页 |
·样品的表征 | 第71-72页 |
·光催化实验 | 第72-73页 |
·结果与讨论 | 第73-89页 |
·In(OH)_xS_y的组成和形貌表征 | 第73-77页 |
·In(OH)_3和In(OH)_xS_y空心立方块的生长机理研究 | 第77-81页 |
·In(OH)_xS_y空心立方块的光学吸收性质和BET比表面积 | 第81-83页 |
·In(OH)_xS_y空心立方块的可见光光催化性能研究 | 第83-89页 |
·结论 | 第89-91页 |
第五章 花状In_2S_3纳米球的低温制备及其对离子型染料的光催化降解机理研究 | 第91-105页 |
·前言 | 第91-92页 |
·实验部分 | 第92-94页 |
·主要试剂 | 第92-93页 |
·主要仪器 | 第93页 |
·In_2S_3花状纳米球的制备 | 第93页 |
·样品的表征 | 第93-94页 |
·光催化实验 | 第94页 |
·结果和讨论 | 第94-103页 |
·样品的XRD分析 | 第94页 |
·样品的XPS分析 | 第94-96页 |
·In-80样品的形貌研究 | 第96页 |
·样品的光学吸收性质 | 第96-97页 |
·样品的BET比表面积 | 第97-98页 |
·样品的光催化性能研究 | 第98-103页 |
·结论 | 第103-105页 |
全文总结与展望 | 第105-109页 |
参考文献 | 第109-128页 |
在校期间发表的论文、科研成果、主持项目等 | 第128-131页 |
致谢 | 第131页 |