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新型半导体光催化剂的低温制备及其可见光光催化性能调控

中文摘要第1-8页
Abstract第8-15页
第一章 绪论第15-37页
   ·前言第15页
   ·半导体光催化技术第15-27页
     ·光催化背景第15-18页
     ·半导体光催化技术的产生第18-19页
     ·半导体光催化原理第19-23页
     ·半导体光催化的主要影响因素第23-27页
     ·半导体光催化的发展方向第27页
   ·钛基可见光光催化剂研究进展第27-31页
     ·离子掺杂第28-29页
     ·无机半导体修饰第29-30页
     ·染料光敏化第30-31页
     ·含碳基团的表面修饰第31页
   ·几种新型半导体光催化剂的研究进展第31-33页
     ·铌基半导体第32页
     ·铟基半导体第32-33页
   ·本论文选题意义和研究内容第33-37页
第二章 碳修饰Nb_2O_5纳米结构的低温制备及其可见光光催化性能研究第37-50页
   ·前言第37-38页
   ·实验部分第38-40页
     ·主要试剂第38页
     ·主要仪器第38页
     ·样品的制备第38-39页
     ·样品的表征第39页
     ·光催化降解RhB实验第39页
     ·光催化制氢气实验第39-40页
   ·结果和讨论第40-49页
     ·XRD表征第40页
     ·SEM表征第40-41页
     ·TEM表征第41-42页
     ·生长机理研究第42-43页
     ·XPS表征第43页
     ·FI-IR图谱第43-46页
     ·UV-Vis漫反射图谱第46页
     ·N_2吸附-脱附图谱第46-47页
     ·产物催化剂的光催化活性测试第47-48页
     ·产物催化剂的光催化活性测试第48-49页
   ·结论第49-50页
第三章 碳,氮共掺杂InOOH微米球的合成,生长机理及其可见光光催化性能研究第50-68页
   ·前言第50-51页
   ·实验部分第51-53页
     ·主要试剂第51-52页
     ·主要仪器第52页
     ·样品的制备第52-53页
     ·样品的表征第53页
     ·光催化降解RhB实验第53页
   ·结果和讨论第53-67页
     ·XRD表征第53-55页
     ·XPS表征第55页
     ·SEM和HRTEM表征第55-57页
     ·C和N共掺杂InOOH微米球的形成过程第57-61页
     ·样品的光学吸收性质第61页
     ·样品的的BET比表面积第61-63页
     ·样品的光催化性能研究第63页
     ·光催化机理研究第63-67页
   ·结论第67-68页
第四章 In(OH)_xS_y空心纳米立方块的低温合成,生长机理及其可见光光催化性能研究第68-91页
   ·前言第68-70页
   ·实验部分第70-73页
     ·主要试剂第70页
     ·主要仪器第70-71页
     ·样品的合成第71页
     ·样品的表征第71-72页
     ·光催化实验第72-73页
   ·结果与讨论第73-89页
     ·In(OH)_xS_y的组成和形貌表征第73-77页
     ·In(OH)_3和In(OH)_xS_y空心立方块的生长机理研究第77-81页
     ·In(OH)_xS_y空心立方块的光学吸收性质和BET比表面积第81-83页
     ·In(OH)_xS_y空心立方块的可见光光催化性能研究第83-89页
   ·结论第89-91页
第五章 花状In_2S_3纳米球的低温制备及其对离子型染料的光催化降解机理研究第91-105页
   ·前言第91-92页
   ·实验部分第92-94页
     ·主要试剂第92-93页
     ·主要仪器第93页
     ·In_2S_3花状纳米球的制备第93页
     ·样品的表征第93-94页
     ·光催化实验第94页
   ·结果和讨论第94-103页
     ·样品的XRD分析第94页
     ·样品的XPS分析第94-96页
     ·In-80样品的形貌研究第96页
     ·样品的光学吸收性质第96-97页
     ·样品的BET比表面积第97-98页
     ·样品的光催化性能研究第98-103页
   ·结论第103-105页
全文总结与展望第105-109页
参考文献第109-128页
在校期间发表的论文、科研成果、主持项目等第128-131页
致谢第131页

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